本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示装置及其显示面板。
背景技术：
随着显示装置的快速发展，用户对屏幕占比的要求越来越高，由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件，因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件，例如苹果手机iphonex的前刘海区域，影响了屏幕的整体一致性，全面屏显示受到业界越来越多的关注。
技术实现要素：
本发明的发明目的是提供一种用于全面屏的显示装置及其显示面板。
为实现上述目的，本发明的第一方面提供一种显示面板，包括：若干第一子像素与驱动每一所述第一子像素的第一像素驱动电路，以及若干第二子像素与驱动每一所述第二子像素的第二像素驱动电路；位于同一行的所述第一子像素对应的所述第一像素驱动电路与所述第二子像素对应的所述第二像素驱动电路通过第一反相器共用同一扫描信号。
可选地，所述显示面板包括：透明显示区与非透明显示区；所述第一子像素与所述第一像素驱动电路位于所述透明显示区；所述第二子像素与所述第二像素驱动电路位于所述非透明显示区。
可选地，所述第一反相器位于所述非透明显示区。
可选地，所述显示面板还包括边框区，所述第一反相器位于所述边框区。
可选地，所述第一反相器包括一第一n型晶体管与一第一p型晶体管，所述第一n型晶体管的栅极与所述第一p型晶体管的栅极连接，用于输入所述扫描信号；所述第一n型晶体管的第一极连接低电平，所述第一p型晶体管的第二极连接高电平；所述第一n型晶体管的第二极连接于所述第一p型晶体管的第一极，用于输出所述扫描信号的反相信号。
可选地，所述第一p型晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第一n型晶体管为低温多晶氧化物晶体管。
可选地，所述第一像素驱动电路包括第一开关晶体管，所述第二像素驱动电路包括第二开关晶体管，所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的导电类型相反；位于同一行的所述第一子像素与所述第二子像素分别对应的所述第一像素驱动电路与所述第二像素驱动电路通过第一反相器共用同一扫描信号。
可选地，所述第二开关晶体管为第三p型晶体管，所述第一开关晶体管为第三n型晶体管。
可选地，所述第三p型晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第三n型晶体管为低温多晶氧化物晶体管。
可选地，所述第一像素驱动电路还包括第一发光晶体管，所述第二像素驱动电路还包括第二发光晶体管，所述第一发光晶体管与第二发光晶体管的导电类型相反；位于同一行的第一子像素与第二子像素分别对应的所述第一发光晶体管与所述第二发光晶体管通过第二反相器共用同一发光信号。
可选地，所述第二反相器位于所述非透明显示区。
可选地，所述显示面板还包括边框区，所述第二反相器位于所述边框区。
可选地，所述第二反相器包括一第二n型晶体管与一第二p型晶体管，所述第二n型晶体管的栅极与所述第二p型晶体管的栅极连接，用于输入所述发光信号；所述第二n型晶体管的第一极连接低电平，所述第二p型晶体管的第二极连接高电平；所述第二n型晶体管的第二极连接于所述第二p型晶体管的第一极，用于输出所述发光信号的反相信号。
可选地，所述第二p型晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二n型晶体管为低温多晶氧化物晶体管。
可选地，所述第一像素驱动电路还包括第一驱动晶体管，所述第一开关晶体管为低温多晶硅晶体管与低温多晶氧化物晶体管中的一个，所述第一驱动晶体管为低温多晶硅晶体管与低温多晶氧化物晶体管中的另一个。
可选地，所述第一像素驱动电路还包括第一发光晶体管，所述第一发光晶体管为低温多晶硅晶体管或低温多晶氧化物晶体管。
可选地，所述第一子像素包括：第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构块，以及位于所述第一发光结构块上的第二电极；所述第一电极为反光电极；所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管在所述显示面板的正投影与所述第一电极在所述显示面板的正投影至少部分重叠。
可选地，所述低温多晶硅晶体管为顶栅结构或底栅结构；和/或所述低温多晶氧化物晶体管为顶栅结构或底栅结构。
可选地，所述第一像素驱动电路为2t1c或3t1c结构，所述第二像素驱动电路为6t1c或7t1c结构。
本发明的第二方面提供一种显示装置，包括：
设备本体，具有器件区；
以及上述任一项的显示面板，覆盖在所述设备本体上；
其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
可选地，所述感光器件包括：摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1)显示面板中，位于同一行的第一子像素对应的第一像素驱动电路与第二子像素对应的第二像素驱动电路通过第一反相器共用同一扫描信号，通过第一反相器，第一子像素与第二子像素同步驱动可以使用同一gip(gateinpanel，门面板技术)电路，避免使用复杂结构，成本较低。
2)可选方案中，第一像素驱动电路包括第一开关晶体管，第二像素驱动电路包括第二开关晶体管，由于位于同一行的第一子像素的第一开关晶体管与第二子像素的第二开关晶体管的导电类型相反，因而将一个扫描信号接入位于同一行的第二子像素的第二开关晶体管；通过第一反相器，得到该扫描信号的反相信号，接入位于同一行的第一子像素的第一开关晶体管；可以实现第一子像素与第二子像素的同步驱动，提高全面屏的显示效果。此外，第一子像素与第二子像素的同步驱动可以使用同一gip(gateinpanel，门面板技术)电路，避免使用复杂结构，成本较低。
3)可选方案中，显示面板包括：透明显示区与非透明显示区；第一子像素与第一像素驱动电路位于透明显示区；第二子像素与第二像素驱动电路位于非透明显示区。将一个扫描信号接入非透明显示区中位于同一行的第二子像素的第二开关晶体管；通过第一反相器，得到该扫描信号的反相信号，接入透明显示区中位于同一行的第一子像素的第一开关晶体管；可以实现透明显示区与非透明显示区的同步驱动，提高全面屏的显示效果。此外，透明显示区与非透明显示区的同步驱动可以使用同一gip(gateinpanel，门面板技术)电路，避免使用复杂结构，成本较低。
4)可选方案中，第一反相器位于非透明显示区。其它可选方案中，第一反相器也可以位于透明显示区，或透明显示区与非透明显示区之间的过渡显示区。将第一反相器设置于非透明显示区或过渡显示区，相对于设置于透明显示区，可以避免降低透明显示区的透光率。
5)可选方案中，显示面板还包括边框区，第一反相器位于边框区。将第一反相器设置于边框区，相对于设置于非透明显示区，可以避免改变非透明显示区中各第二子像素的布局，避免降低第二子像素的像素密度(ppi)。
6)可选方案中，第一反相器包括一第一n型晶体管与一第一p型晶体管，第一n型晶体管的栅极与第一p型晶体管的栅极连接，用于输入扫描信号；第一n型晶体管的第一极连接低电平，第一p型晶体管的第二极连接高电平；第一n型晶体管的第二极连接于第一p型晶体管的第一极，用于输出扫描信号的反相信号。扫描信号为高电平时，第一n型晶体管打开，第一p型晶体管关闭，第一n型晶体管的第一极与第二极导通，低电平作为扫描信号的反相信号输出。扫描信号为低电平时，第一p型晶体管打开，第一n型晶体管关闭，第一p型晶体管的第一极与第二极导通，高电平作为扫描信号的反相信号输出。相对于其它结构的反相器，上述反相器结构简单，性能可靠。
7)可选方案中，第一像素驱动电路还包括第一发光晶体管，第二像素驱动电路还包括第二发光晶体管，第一发光晶体管与第二发光晶体管的导电类型相反；位于同一行的第一子像素与第二子像素分别对应的所述第一发光晶体管与第二发光晶体管通过第二反相器共用同一发光信号。将一个发光信号接入位于同一行的第二子像素的第二发光晶体管；通过第二反相器，得到该发光信号的反相信号，接入位于同一行的第一子像素的第一发光晶体管；可以实现第一子像素与第二子像素的同步发光，提高全面屏的显示效果。
当第一子像素与第一像素驱动电路位于透明显示区，第二子像素与第二像素驱动电路位于非透明显示区时：将一个发光信号接入非透明显示区中位于同一行的第二子像素的第二发光晶体管；通过第二反相器，得到该发光信号的反相信号，接入透明显示区中位于同一行的第一子像素的第一发光晶体管；可以实现透明显示区与非透明显示区的同步发光。
其它可选方案中，第一发光晶体管与第二发光晶体管的导电类型还可以相同，位于同一行的第一子像素与第二子像素分别对应的第一发光晶体管与第二发光晶体管直接共用同一发光信号。
8)可选方案中，第二反相器位于非透明显示区。其它可选方案中，第二反相器也可以位于透明显示区，或透明显示区与非透明显示区之间的过渡显示区。将第二反相器设置于非透明显示区或过渡显示区，相对于设置于透明显示区，可以避免降低透明显示区的透光率。
9)可选方案中，显示面板还包括边框区，第二反相器位于边框区。将第二反相器设置于边框区，相对于设置于非透明显示区，可以避免改变非透明显示区中各第二子像素的布局，避免降低第二子像素的像素密度(ppi)。
10)可选方案中，第二反相器包括一第二n型晶体管与一第二p型晶体管，第二n型晶体管的栅极与第二p型晶体管的栅极连接，用于输入发光信号；第二n型晶体管的第一极连接低电平，第二p型晶体管的第二极连接高电平；第二n型晶体管的第二极连接于第二p型晶体管的第一极，用于输出发光信号的反相信号。发光信号为高电平时，第二n型晶体管打开，第二p型晶体管关闭，第二n型晶体管的第一极与第二极导通，低电平作为发光信号的反相信号输出。发光信号为低电平时，第二p型晶体管打开，第二n型晶体管关闭，第二p型晶体管的第一极与第二极导通，高电平作为发光信号的反相信号输出。相对于其它结构的反相器，上述反相器结构简单，性能可靠。
附图说明
图1是本发明第一实施例的显示面板的俯视图；
图2是图1中部分区域的截面结构示意图；
图3是一种2t1c结构的第一像素驱动电路的电路图；
图4是一种7t1c结构的第二像素驱动电路的电路图；
图5是一种第一反相器的电路图；
图6是本发明第二实施例的显示面板的俯视图；
图7是一种3t1c结构的第一像素驱动电路的电路图。
为方便理解本发明，以下列出本发明中出现的所有附图标记：
显示面板1、2基底10
透明显示区1a非透明显示区1b
第一子像素11第一开关晶体管x1
第二子像素21第二开关晶体管、第一子晶体管m1
第一反相器31第一电极11a
像素定义层pdl第一发光结构块11b
第二电极11c第一驱动晶体管x2
第一存储电容c扫描信号线sn-1、sn
数据信号线vdata电源信号线vdd
第三电极21a第二发光结构块21b
第四电极21c扫描信号sm
扫描信号的反相信号
第一p型晶体管312低电平vgl
高电平vgh低温多晶硅半导体有源层121
第一栅极绝缘层122第一栅极123
第一源极124a第一漏极124b
低温多晶氧化物半导体有源层131第二栅极绝缘层132
第二栅极133第二源极134a
第二漏极134b绝缘层125
层间绝缘层130平坦化层pln
第一发光晶体管x3发光信号线emn
边框区1c第二反相器32
第二存储电容c"第二子晶体管m2
第三子晶体管m3第四子晶体管m4
第五子晶体管m5第六子晶体管、第二发光晶体管m6
第七子晶体管、第二驱动晶体管m7初始电压信号线vinit
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明第一实施例的显示面板的俯视图。图2是图1中部分区域的截面结构示意图。图3是一种2t1c结构的第一像素驱动电路的电路图。图4是一种7t1c结构的第二像素驱动电路的电路图。
参照图1至图4所示，显示面板1，包括：若干第一子像素11与驱动每一第一子像素11的第一像素驱动电路，以及若干第二子像素21与驱动每一第二子像素21的第二像素驱动电路；位于同一行的第一子像素11对应的第一像素驱动电路与第二子像素21对应的第二像素驱动电路通过第一反相器31共用同一扫描信号。
可选的，第一像素驱动电路包括第一开关晶体管x1，第二像素驱动电路包括第二开关晶体管m1，第一开关晶体管x1与第二开关晶体管m1的导电类型相反；位于同一行的第一子像素11对应的第一开关晶体管x1与第二子像素21对应的第二开关晶体管m1通过第一反相器31共用同一扫描信号。
参照图2所示，显示面板1包括：透明显示区1a与非透明显示区1b；透明显示区1a包括若干第一子像素11与驱动每一第一子像素11的第一像素驱动电路；非透明显示区1b包括若干第二子像素21与驱动每一第二子像素21的第二像素驱动电路。
透明显示区1a的基底10上具有第一电极11a，第一电极11a以及未覆盖第一电极11a的基底10上设置有像素定义层pdl；像素定义层pdl具有暴露第一电极11a的部分区域的开口，开口内设置有第一发光结构块11b，第一发光结构块11b以及像素定义层pdl上设置有第二电极11c。第一电极11a、第一发光结构块11b以及第二电极11c构成第一子像素11。第一发光结构块11b可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的第一子像素11构成一个第一像素单元。第一发光结构块11b可以为有机发光材料层(oled)。第一电极11a可以为阳极，具体可以为透光阳极，材料例如氧化铟锡(ito)；也可以为反光阳极，例如为ito、金属银、ito的叠层结构。第二电极11c可以为阴极，具有部分透光、部分反光的功能，材料例如为金属镁、金属银中的一种或混合物。各第一子像素11的第二电极11c可以连接成一面电极。
图2中，每一第一子像素11下方具有第一像素驱动电路。第一像素驱动电路可以为图3所示的2t1c电路。
参照图3所示，第一像素驱动电路包括第一开关晶体管x1、第一驱动晶体管x2以及第一存储电容c。
第一开关晶体管x1的栅极与一行扫描信号线sn电连接，该行扫描信号为开启电压时，第一开关晶体管x1将一列数据信号线vdata上的数据信号保持在第一存储电容c的一个极板；扫描信号为关断电压时，第一存储电容c上保持的数据信号保持第一驱动晶体管x2打开，使得一列电源信号线vdd上的电源信号对第一子像素11的第一电极11a续供电。
参照图2所示，非透明显示区1b包括若干个第二像素单元，第二像素单元包括若干个第二子像素21。第二子像素21包括第三电极21a、位于第三电极21a上的第二发光结构块21b及位于第二发光结构块21b上的第四电极21c。第二发光结构块21b可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的第二子像素21构成一个第二像素单元。第二发光结构块21b可以为有机发光材料层(oled)。第三电极21a为反光阳极，例如为ito、金属银、ito的叠层结构。第四电极21c可以为阴极，具有部分透光、部分反光的功能，但透光率小于第二电极11c，材料例如为金属镁、金属银中的一种或混合物。各第二子像素21的第四电极21c可以连接成一面电极。
图2中，每一第二子像素21下方具有第二像素驱动电路。第二像素驱动电路可以为图4所示的7t1c电路。
参照图4所示，第二像素驱动电路包括：第一子晶体管m1、第二子晶体管m2、第三子晶体管m3、第四子晶体管m4、第五子晶体管m5、第六子晶体管m6、第七子晶体管m7和第二存储电容c"；
其中，第一子晶体管m1的栅极与第二子像素21所在像素行的扫描信号线sn和第二子晶体管m2的栅极连接，第一子晶体管m1的第一极与第六子晶体管m6的第一极和第七子晶体管m7的第二极连接，第一子晶体管m1的第二极与第七子晶体管m7的栅极和第二存储电容c"的第二极板连接；
第二子晶体管m2的第一极与数据信号线vdata连接，第二子晶体管m2的第二极与第七子晶体管m7的第一极和第三子晶体管m3的第一极连接；
第三子晶体管m3的栅极与第六子晶体管m6的栅极连接，第三子晶体管m3的第一极与第七子晶体管m7的第一极连接，第三子晶体管m3的第二极与第二存储电容c"的第一极板连接；
第四子晶体管m4的栅极与上一像素行的扫描信号线sn-1连接，第四子晶体管m4的第一极与第二子像素21的第三电极21a连接，第四子晶体管m4的第二极与初始电压信号线vinit和第五子晶体管m5的第二极连接；
第五子晶体管m5的栅极与上一像素行的扫描信号线sn-1连接，第五子晶体管m5的第一极与第七子晶体管m7的栅极和第二存储电容c"的第二极板连接，第五子晶体管m5的第二极与初始电压信号线vinit连接；
第六子晶体管m6的栅极与发光信号线emn连接，第六子晶体管m6的第一极与第七子晶体管m7的第二极连接，第六子晶体管m6的第二极与第四子晶体管m4的第一极连接；
第二存储电容c"的第一极板与电源信号线vdd连接。
第一极为源极与漏极中的一个，第二极为源极与漏极中的另一个。第一极板为下极板与上极板中的一个，第二极板为下极板与上极板中的另一个。
第一子晶体管m1为第二开关晶体管，第六子晶体管m6为第二发光晶体管，第七子晶体管m7为第二驱动晶体管。
7t1c结构的像素电路在发光过程中具有对驱动晶体管的阈值电压补偿过程，因此能够保证第二子像素21发光的均匀性。一些实施例中，第二像素驱动电路也可以为6t1c结构，6t1c结构相对于7t1c结构，省略了第二发光晶体管(第六子晶体管m6)。另一些实施例中，第二像素驱动电路还可以为其它结构，本实施例对此不加以限定。
本实施例中，第二开关晶体管m1为p型晶体管，即采用空穴载流子导电；第一开关晶体管x1为n型晶体管，即采用电子载流子导电。其它实施例中，第二开关晶体管m1可以为n型晶体管，第一开关晶体管x1可以为p型晶体管。
参照图1所示，将一个扫描信号(例如s1)接入非透明显示区1b中位于同一行(例如第一行)的第二子像素21的第二开关晶体管m1；通过第一反相器31，得到该扫描信号(例如s1)的反相信号，接入透明显示区1a中位于同一行(例如第一行)的第一子像素11的第一开关晶体管x1；可以实现透明显示区1a与非透明显示区1b的同步驱动，提高显示面板1作为全面屏使用时的显示效果。此外，透明显示区1a的各个第一子像素11与非透明显示区1b的各个第二子像素21可以使用同一gip电路，避免使用复杂结构，成本较低。
图5是一种第一反相器的电路图。第一反相器31包括一第一n型晶体管311与一第一p型晶体管312，第一n型晶体管311的栅极与第一p型晶体管312的栅极连接，用于输入扫描信号sm，其中，m为透明显示区1a的任一行；第一n型晶体管311的第一极连接低电平vgl，第一p型晶体管312的第二极连接高电平vgh；第一n型晶体管311的第二极连接于第一p型晶体管312的第一极，用于输出扫描信号sm的反相信号
参照图1所示，显示面板1包括边框区1c，第一反相器31位于边框区1c。一些实施例中，第一反相器31也可以位于非透明显示区1b。将第一反相器31设置于边框区1c，相对于设置于非透明显示区1b，可以避免改变非透明显示区1b中各第二子像素21的布局，避免降低第二子像素21的像素密度(ppi)。另一些实施例中，第一反相器31还可以位于透明显示区1a，或位于透明显示区1a与非透明显示区1b之间的过渡显示区(未图示)。将第一反相器31设置于非透明显示区1b或过渡显示区，相对于设置于透明显示区1a，可以避免降低透明显示区1a的透光率。
参照图2与图3所示，可以看出，第一开关晶体管x1为低温多晶氧化物晶体管，第二驱动晶体管x2为低温多晶硅晶体管。低温多晶硅晶体管(lowtemperaturepolysilicontft，ltpstft)，是基于低温多晶硅材料作为半导体有源层的晶体管。低温多晶氧化物晶体管(lowtemperaturepolysilicon-oxidetft，ltpotft)，是基于低温多晶氧化物材料作为半导体有源层的晶体管。低温多晶氧化物材料例如可以为igzo(即indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)、igto(即indiumgalliumtinoxide，铟镓锡氧化物)、izto(即indiumzinctinoxide，铟锌锡氧化物)中的至少一种。
参照图2所示，低温多晶硅晶体管自下而上包括：低温多晶硅半导体有源层121(第一源区、第一漏区，以及第一源区与第一漏区之间的第一沟道区)、第一栅极绝缘层122、第一栅极123、连接第一源区的第一源极124a以及连接第一漏区的第一漏极124b。
第一栅极123以及未覆盖第一栅极123的第一栅极绝缘层122上具有绝缘层125。绝缘层125可以为层间介质层或钝化层。
低温多晶氧化物晶体管自下而上包括：连接第二源区的第二源极134a以及连接第二漏区的第二漏极134b、层间绝缘层130、低温多晶氧化物半导体有源层131(第二源区、第二漏区，以及第二源区与第二漏区之间的第二沟道区)、第二栅极绝缘层132以及第二栅极133。
第二栅极133以及未覆盖第二栅极133的第二栅极绝缘层132上具有平坦化层(pln层)。平坦化层(pln层)内具有连接低温多晶硅晶体管的第一漏极124b与第一电极11a(或第三电极21a)的层间电连接结构。
图2所示实施例中，低温多晶氧化物晶体管中的第二漏极134b与低温多晶硅晶体管中的第一源极124a通过导电化处理的低温多晶氧化物半导体有源层131电连接。导电化处理可以通过注入硼离子。其它实施例中，低温多晶氧化物晶体管中的第二漏极134b与低温多晶硅晶体管中的第一源极124a也可以通过金属等导电性能佳的材料电连接。
图2所示实施例中，低温多晶硅晶体管的第一栅极123位于低温多晶硅半导体有源层121的上方，为顶栅结构。低温多晶氧化物晶体管的第二栅极133位于低温多晶氧化物半导体有源层131的上方，也为顶栅结构。其它实施例中，低温多晶硅晶体管的第一栅极123也可以位于低温多晶硅半导体有源层121的下方，为底栅结构，和/或低温多晶氧化物晶体管的第二栅极133位于低温多晶氧化物半导体有源层131的下方，也为底栅结构。
其它实施例中，第一开关晶体管x1与第一驱动晶体管x2可以都为低温多晶氧化物晶体管，或都为低温多晶硅晶体管，即第一像素驱动电路仅包括低温多晶氧化物晶体管，或仅包括低温多晶硅晶体管。相对于后一实施例，图2实施例中的低温多晶氧化物晶体管与低温多晶硅晶体管可以在上下层上堆叠，不受两低温多晶氧化物晶体管之间最小间距限制，或两低温多晶硅晶体管之间最小间距限制，能减小低透光率区域所占面积，保证透明显示区1a的透光率，可以提高第一子像素11的像素密度(ppi)。
当第一电极11a为反光电极时，第一开关晶体管x1与第一驱动晶体管x2在基底10的正投影与第一电极11a在基底10的正投影至少部分重叠，换言之，将第一开关晶体管x1与第一驱动晶体管x2设置在第一电极11a的正下方，能进一步减小低透光率区域所占面积，提高高透光率区域(例如平坦化层pln)与低透光率区域的面积比，从而进一步保证透明显示区1a的透光率。
一些实施例中，摄像头通过透明显示区1a采集图像时，为降低光线在穿过各第一子像素11之间时的衍射问题，第一电极11a在基底10所在平面的正投影可以呈圆形、椭圆形、哑铃形或葫芦形。上述各种图案相对于矩形，更能解决衍射问题。
第一像素驱动电路中的低温多晶硅晶体管可以与第一反相器31中的低温多晶硅晶体管同步制作；和/或第一像素驱动电路中的低温多晶氧化物晶体管可以与第一反相器31中的低温多晶氧化物晶体管同步制作，以节省工序，简化工艺。
一些实施例中，第一子像素11与第二子像素21也可以交替分布，或按其它规则分布或无规则分布，位于同一行的第一子像素11与第二子像素21分别对应的第一像素驱动电路(具体为第一开关晶体管x1)与第二像素驱动电路(具体为第二开关晶体管m1)通过第一反相器31共用同一扫描信号，可以实现第一子像素11与第二子像素21的同步驱动。
图1所示实施例中，透明显示区1a的一边紧邻边框区1c。另外一些实施例中，透明显示区1a也可以完全设置在非透明显示区1b内。此外，图1所示实施例中，透明显示区1a呈水滴状，其它实施例中，透明显示区1a也可以呈矩形、圆形、椭圆形、刘海状等。
图6是本发明第二实施例的显示面板的俯视图。图7是一种3t1c结构的第一像素驱动电路的电路图。参照图6与图7所示，本实施例的显示面板2与图1至5中的显示面板1大致相同，区别仅在于：第一像素驱动电路还包括：第一发光晶体管x3，第一发光晶体管x3位于第一驱动晶体管x2与第一子像素11之间；第一发光晶体管x3与第二发光晶体管m6的导电类型相反；位于同一行的第一子像素11与第二子像素21分别对应的第一发光晶体管x3与第二发光晶体管m6通过第二反相器32共用同一发光信号。
本实施例中，第二发光晶体管m6为p型晶体管，第一发光晶体管x3为n型晶体管。p型晶体管可以为低温多晶硅晶体管，n型晶体管可以为低温多晶氧化物晶体管。其它实施例中，第二发光晶体管m6可以为n型晶体管，第一发光晶体管x3为p型晶体管。
类似图5中的第一反相器31，一实施例中，第二反相器32包括一第二n型晶体管与一第二p型晶体管，第二n型晶体管的栅极与第二p型晶体管的栅极连接，用于输入发光信号；第二n型晶体管的第一极连接低电平，第二p型晶体管的第二极连接高电平；第二n型晶体管的第二极连接于第二p型晶体管的第一极，用于输出发光信号的反相信号。第一极为源极与漏极中的一个，第二极为源极与漏极中的另一个。
发光信号为高电平时，第二n型晶体管打开，第二p型晶体管关闭，第二n型晶体管的第一极与第二极导通，低电平作为发光信号的反相信号输出。发光信号为低电平时，第二p型晶体管打开，第二n型晶体管关闭，第二p型晶体管的第一极与第二极导通，高电平作为发光信号的反相信号输出。相对于其它结构的反相器，上述反相器结构简单，性能可靠。
第二p型晶体管可以为低温多晶硅晶体管，第二n型晶体管为可以低温多晶氧化物晶体管。
参照图6所示，第二反相器32位于边框区1c。一些实施例中，第二反相器32也可以位于非透明显示区1b。将第二反相器32设置于边框区1c，相对于设置于非透明显示区1b，可以避免改变非透明显示区1b中各第二子像素21的布局，避免降低第二子像素21的像素密度(ppi)。另一些实施例中，第二反相器32还可以位于透明显示区1a，或位于透明显示区1a与非透明显示区1b之间的过渡显示区(未图示)。将第二反相器32设置于非透明显示区1b或过渡显示区，相对于设置于透明显示区1a，可以避免降低透明显示区1a的透光率。
其它实施例中，第一发光晶体管x3与第二发光晶体管m6的导电类型还可以相同，位于同一行的第一子像素11与第二子像素21分别对应的第一发光晶体管x3与第二发光晶体管m6直接共用同一发光信号。第一发光晶体管x3与第二发光晶体管m6可以同为p型晶体管，或同为n型晶体管。p型晶体管可以为低温多晶硅晶体管，n型晶体管可以为低温多晶氧化物晶体管。
基于上述显示面板1、2，本发明一实施例还提供一种显示装置。
该显示装置可以为手机、平板电脑、车载显示屏等的显示装置。
显示装置包括：
设备本体，具有器件区；
以及上述任一的显示面板1、2，覆盖在设备本体上；
其中，器件区位于显示面板1、2的透明显示区1a下方，且器件区中设置有透过透明显示区1a发射或者采集光线的感光器件。
感光器件可以包括：摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括：若干第一子像素与驱动每一所述第一子像素的第一像素驱动电路，以及若干第二子像素与驱动每一所述第二子像素的第二像素驱动电路；位于同一行的所述第一子像素对应的所述第一像素驱动电路与所述第二子像素对应的所述第二像素驱动电路通过第一反相器共用同一扫描信号。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：透明显示区与非透明显示区；所述第一子像素与所述第一像素驱动电路位于所述透明显示区；所述第二子像素与所述第二像素驱动电路位于所述非透明显示区。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一反相器位于所述非透明显示区；
或所述显示面板还包括边框区，所述第一反相器位于所述边框区；
优选地，所述第一反相器包括一第一n型晶体管与一第一p型晶体管，所述第一n型晶体管的栅极与所述第一p型晶体管的栅极连接，用于输入所述扫描信号；所述第一n型晶体管的第一极连接低电平，所述第一p型晶体管的第二极连接高电平；所述第一n型晶体管的第二极连接于所述第一p型晶体管的第一极，用于输出所述扫描信号的反相信号；
优选地，所述第一p型晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第一n型晶体管为低温多晶氧化物晶体管。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素驱动电路包括第一开关晶体管，所述第二像素驱动电路包括第二开关晶体管，所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的导电类型相反；位于同一行的所述第一子像素与所述第二子像素分别对应的所述第一像素驱动电路与所述第二像素驱动电路通过第一反相器共用同一扫描信号；
优选地，所述第二开关晶体管为第三p型晶体管，所述第一开关晶体管为第三n型晶体管；
优选地，所述第三p型晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第三n型晶体管为低温多晶氧化物晶体管。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素驱动电路还包括第一发光晶体管，所述第二像素驱动电路还包括第二发光晶体管，所述第一发光晶体管与第二发光晶体管的导电类型相反；位于同一行的第一子像素与第二子像素分别对应的所述第一发光晶体管与所述第二发光晶体管通过第二反相器共用同一发光信号。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二反相器位于所述非透明显示区；
或所述显示面板还包括边框区，所述第二反相器位于所述边框区；
优选地，所述第二反相器包括一第二n型晶体管与一第二p型晶体管，所述第二n型晶体管的栅极与所述第二p型晶体管的栅极连接，用于输入所述发光信号；所述第二n型晶体管的第一极连接低电平，所述第二p型晶体管的第二极连接高电平；所述第二n型晶体管的第二极连接于所述第二p型晶体管的第一极，用于输出所述发光信号的反相信号；
优选地，所述第二p型晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二n型晶体管为低温多晶氧化物晶体管。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素驱动电路还包括第一驱动晶体管，所述第一开关晶体管为低温多晶硅晶体管与低温多晶氧化物晶体管中的一个，所述第一驱动晶体管为低温多晶硅晶体管与低温多晶氧化物晶体管中的另一个。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素驱动电路还包括第一发光晶体管，所述第一发光晶体管为低温多晶硅晶体管或低温多晶氧化物晶体管。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素包括：第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构块，以及位于所述第一发光结构块上的第二电极；所述第一电极为反光电极；所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管在所述显示面板的正投影与所述第一电极在所述显示面板的正投影至少部分重叠。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
设备本体，具有器件区；
以及权利要求1至9任一项所述的显示面板，覆盖在所述设备本体上；其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
技术总结
本发明提供了一种显示装置及其显示面板，显示面板：若干第一子像素与驱动每一第一子像素的第一像素驱动电路，以及若干第二子像素与驱动每一第二子像素的第二像素驱动电路；位于同一行的第一子像素对应的第一像素驱动电路与第二子像素对应的第二像素驱动电路通过第一反相器共用同一扫描信号。上述共用扫描信号可以实现第一子像素与第二子像素的同步驱动，提高全面屏的显示效果。第一子像素与第二子像素的同步驱动可使用同一GIP电路，结构简单、成本低。
技术研发人员：刘如胜;周晓梁;李洪瑞;蔡俊飞;杜哲
受保护的技术使用者：昆山国显光电有限公司
技术研发日：.11.11
技术公布日：.02.28
