本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种电极结构、阵列基板与显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管液晶显示装置(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，简称：tft-lcd)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到迅速发展。该薄膜晶体管液晶显示装置的显示原理为像素电极和公共电极之间形成电场，电场驱动液晶分子偏转实现图像的明暗显示，也就是说，像素电极、公共电极等电极结构会对薄膜晶体管液晶显示装置的光透过率产生影响。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现要素：
本公开的目的在于提供一种电极结构、阵列基板与显示装置，能够改善像素电压正负帧切换过程中每帧画面的亮度不同导致的闪烁现象。
根据本公开的一个方面，提供了一种电极结构，该电极结构包括：
多个第一电极部，各所述第一电极部在第一方向上呈往复迂回形延伸，多个所述第一电极部在第二方向上间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交；
镂空部，形成于相邻的两个所述第一电极部之间。
在本公开的一种示例性实施中，至少部分所述镂空部的形状呈往复迂回形。
在本公开的一种示例性实施中，至少部分所述第一电极部的迂回弯折角为直角。
在本公开的一种示例性实施中，各所述第一电极部的长度相同。
在本公开的一种示例性实施中，所述电极结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域中的所述第一电极部与所述第二区域中的所述第一电极部对称设置。
在本公开的一种示例性实施中，所述第一区域和/或所述第二区域中相邻的所述第一电极部之间的所述镂空部在所述第一方向上呈往复迂回形延伸。
在本公开的一种示例性实施中，所述第一区域和/或所述第二区域中相邻的所述第一电极部之间的距离相同。
在本公开的一种示例性实施中，所述电极结构还包括：
第二电极部和第三电极部，多个所述第一电极部的一端与所述第二电极部连接，另一端与所述第三电极部连接。
根据本公开的另一个方面，提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板及呈阵列分布在所述衬底基板上的亚像素单元，所述亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，所述公共电极和所述像素电极中的至少一者为上述的电极结构。
根据本公开的再一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。
本公开提供的电极结构，第一电极部呈往复迂回形延伸，在第一方向的任一沿线上即存在第一电极部，又存在镂空部，第一电极部与镂空部交替排布；在电极的正负帧电压切换时，在第一方向上相邻的第一电极部与镂空部之间的透过率能够形成互补，从而使得当像素电压为正负帧的切换时，在第一方向上很少或几乎没有透过率高低的差异，不会有由于正负极性像素电压造成的亮度高低变化，从而不会反应出视觉上的闪烁。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开的一种实施例提供的电极结构的示意图；
图2为本公开的另一种实施例提供的电极结构的示意图；
图3为本公开说明挠曲电效应的示意图；
图4为本公开提供的相关技术中电极结构的示意图；
图5a和图5b为本公开提供的正负帧光透过率的对比示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
相关技术中，液晶驱动模式中的一种模式为横向电场驱动模式，例如ffs(边缘场切换，fringefieldswitching)模式或ips(平面内切换，in-planeswitching)模式。横向电场驱动模式是通过在平行于基板的方向上形成电场并在平行于基板的平面内旋转具有偶极矩的液晶分子而实现显示的驱动模式。由于ffs模式在每个像素中具有简单的电极结构，所以经常使用ffs模式。在横向电场驱动模式中，电压施加到每个像素电极和公共电极，以在平行于基板的方向上形成电场。当在电压施加期间液晶分子在电场方向上对准时，出现诸如所谓的展曲变形或弯曲变形之类的取向变形。
除偶极矩之外，在像素电极的电极部10与公共电极30产生电场时，液晶分子通常还具有如图3所示的形状不对称。当在由这类液晶分子构成的液晶中出现诸如展曲变形或弯曲变形之类的取向变形时有可能引起液晶的极化，反过来电场也可能使液晶发生形变，这种现象被称作挠曲电效应。
在液晶显示器中，为了防止液晶材料的劣化，通常进行所谓的ac驱动。在ac驱动中，定期地将像素电极的电压与公共电极的电压之间的电位差的极性反向。在将具有上述挠曲电效应的液晶用于这类液晶显示器的情况下，即使在ac驱动中将上述电位差的极性反向，但由上述挠曲电效应所引起的液晶偏振的极性并不简单地反向。因此，透光系数随着电位差的极性而在像素与像素之间存在差异。尤其是，在这类液晶上进行ac驱动以使每个帧中的电位差的极性反向的情况下，其像素电极的电压大于公共电极的电压的正帧的透光系数不同于其像素电极的电压小于公共电极的负帧的透光系数。因此，液晶显示器的亮度在帧与帧之间变化，于是屏幕上出现闪烁而导致图像质量下降。
因此，薄膜晶体管液晶显示装置的亮度在帧与帧之间变化。如图4所示，为当前tft像素设计结构，该像素结构设计，当像素电压为正负帧的切换过程，电极部10和镂空部20处的光透过率表现出如图5a和图5b所示的高低差异，正帧的tr＝0.023，负帧的tr＝0.029，正负帧光透过率不同，于是屏幕上出现闪烁而导致图像质量下降。
基于上述问题，本公开的实施例提供了一种电极结构，如图1和图2所示，该电极结构包括多个第一电极部40和镂空部50，各第一电极部40在第一方向上呈往复迂回形延伸，多个第一电极部40在第二方向上间隔排布，第一方向与第二方向相交；镂空部50形成于相邻的两个第一电极部40之间。
其中，第一方向为图1中x所示的方向，第二方向为图1中y所示的方向；往复迂回形是指在延伸方向上往复弯折，以形成连续的“几”或“s”形轨迹；第一电极部在x方向延伸时，在x方向上的即形成了电极部也形成了镂空部，同时多个第二电极部在y方向上间隔排布，在y方向上即形成了电极部也形成了镂空部；也就是说，电极结构在x方向和y方向上均具有相互交替设置的电极部与镂空部，x方向和y方向相交，例如x方向与y方向垂直。
本公开提供的电极结构，第一电极部40呈往复迂回形延伸，在第一方向的任一沿线上即存在第一电极部40又存在镂空部50，第一电极部40与镂空部50交替排布；在电极的正负帧电压切换时，在第一方向上相邻的第一电极部40与镂空部50之间的透过率能够形成互补，从而当像素电压为正负帧的切换时，在第一方向上很少或几乎没有透过率高低的差异，不会有由于正负极性像素电压造成的亮度高低变化，从而不会反应出视觉上的闪烁。
具体地，至少部分镂空部50的形状呈往复迂回形。如图1所示，部分相邻的第一电极部40紧密布设，各第一电极部40的迂回部分套设在一起，以形成形状呈往复迂回形镂空部50，从而能够保证相邻的第一电极部40在第二方向上的间距不因将第一电极部40设为往复迂回形而增大，保证了电极结构的光透过率。
具体地，至少部分第一电极部40的迂回弯折角为直角。如图1所示，第一电极部40的迂回弯折角均为直角，即第一电极部40在两个垂直的方向上进行弯折延伸。通过将迂回弯折角设为直角，在第一电极部40两端距离一定的情况下能够在第一电极部40上形成较多的迂回部，当像素电压为正负帧的切换时，在第一方向上能够进一步的减小或避免透过率高低的差异。当然，第一电极部40的迂回弯折角可为锐角或钝角，或者，迂回部呈半圆弧形，例如第一电极部40呈s形延伸，本公开对往复迂回形的具体形状不做限定。
具体地，各第一电极部40的长度相同。各第一电极部40的主体延伸方向相同，第一电极部40两端之间的距离相同。通过使第一电极部40的长度相同，能够使各电极结构上的第一电极部40与镂空部50分布更加均匀，使得电极结构的透光率更加均匀，从而当像素电压为正负帧的切换时，电极结构很少或几乎没有透过率高低的差异，不会有由于正负极性像素电压造成的亮度高低变化，从而不会反应出视觉上的闪烁。当然，第一电极部40的长度也可不同，本公开对比不做限制。
具体地，如图1所示，电极结构还包括第二电极部60和第三电极部70，多个第一电极部40的一端与第二电极部60连接，另一端与第三电极部70连接。其中，第二电极部60和第三电极部70平行设置，第一电极部40与第二电极部60和第三电极部70垂直设置，即x所示方向与y所示方向垂直。
具体地，如图1所示，电极结构包括第一区域和第二区域，第一区域中的第一电极部40与第二区域中的第一电极部40对称设置，第一区域为图1中的上半区域，第二区域为图1中的下班区域，如图1，上半区域与半区域中的第一电极部40对称设置。由于第一电极部40紧密设置时，各迂回部套设在一起，若需设置较多的第一电极部40，就会导致紧密设置的第一电极部40较多时，迂回部无法套设在一起，进而无法形成往复迂回形的镂空部50，因此，需要在第二区域中从新排布多个第一电极部40，以使各区域中相邻的第一电极部40之间的镂空部50呈往复迂回形。
进一步地，第一区域中相邻的第一电极部40之间的镂空部50在第一方向上呈往复迂回形延伸；或者，第二区域中中相邻的第一电极部40之间的镂空部50在第一方向上呈往复迂回形延伸；或者，第一区域和第二区域中相邻的第一电极部40之间的镂空部50在第一方向上均呈往复迂回形延伸。即各区域中第一电极部40之间形成呈往复迂回形的镂空部50，以保证电极结构上光透过率均匀性，当像素电压为正负帧的切换时，进一步保证电极结构很少或几乎没有透过率高低的差异，从而进一步避免由于正负极性像素电压造成的亮度高低变化。
进一步地，第一区域中相邻的第一电极部40之间的距离相同；或者，第二区域中相邻的第一电极部40之间的距离相同；或者，第一区域和第二区域中相邻的第一电极部40之间的距离相同。即各区域中第一电极部40之间形成的镂空部50的宽度相同，以保证电极结构上光透过率均匀性，当像素电压为正负帧的切换时，进一步保证电极结构很少或几乎没有透过率高低的差异，从而进一步避免由于正负极性像素电压造成的亮度高低变化。
具体地，当需设置两个区域时，第一电极部40的在电极结构上的延伸轨迹可如1所示或如图2所示。当然，两个区域中的第一电极部40也可不对称设置，本公开对此不做限制。当需设置更多的第一电极部40时，可设置更多的区域以形成第一电极部40。
此外，各第一电极部40的宽度可为1μm～3μm，两个区域中的镂空部50的宽度可为3μm～6μm，位于两个区域之间的镂空部的宽度可更大。当然，第一电极部40的宽度可大于3μm，也可小于1μm，镂空部50的宽度可大于6μm，也可小于3μm，本公开对此不做限制。其中，各第一电极部40的宽度可相同也可不同，各镂空部50的宽度可相同也可不同；
本公开的另一实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板及呈阵列分布在衬底基板上的亚像素单元，亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，公共电极和像素电极中的至少一者可为前述任一实施例所描述的电极结构。
应当理解的是，亚像素单元中公共电极和像素电极之间可相互绝缘。
在一实施例中，公共电极和像素电极可位于不同层，二者之间通过绝缘层相绝缘；进一步地，公共电极或像素电极均可为前述任一实施例所描述的电极结构，该公共电极中的电极部和像素电极中的电极部在垂直方向上的投影间隔排列，二者无重叠区域。
在另一实施例中，公共电极和像素电极同层设置，且公共电极中的电极部和像素电极中的电极部间隔排列。
本公开的又一实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可为液晶显示装置，其包括前述任一实施例所描述的阵列基板。根据本公开的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示器或具有液晶显示器的车辆、移动装置、可穿戴设备、vr装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
技术特征：
1.一种电极结构，其特征在于，包括：
多个第一电极部，各所述第一电极部在第一方向上呈往复迂回形延伸，多个所述第一电极部在第二方向上间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交；
镂空部，形成于相邻的两个所述第一电极部之间。
2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，至少部分所述镂空部的形状呈往复迂回形。
3.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，至少部分所述第一电极部的迂回弯折角为直角。
4.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，各所述第一电极部的长度相同。
5.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述电极结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域中的所述第一电极部与所述第二区域中的所述第一电极部对称设置。
6.根据权利要求5所述的电极结构，其特征在于，所述第一区域和/或所述第二区域中相邻的所述第一电极部之间的所述镂空部在所述第一方向上呈往复迂回形延伸。
7.根据权利要求5所述的电极结构，其特征在于，所述第一区域和/或所述第二区域中相邻的所述第一电极部之间的距离相同。
8.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述电极结构还包括：
第二电极部和第三电极部，多个所述第一电极部的一端与所述第二电极部连接，另一端与所述第三电极部连接。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板及呈阵列分布在所述衬底基板上的亚像素单元，所述亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，所述公共电极和所述像素电极中的至少一者为权利要求1至8中任一项所述的电极结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
技术总结
本公开是关于显示技术领域，涉及一种电极结构、阵列基板与显示装置，电极结构包括多个第一电极部与镂空部，各所述第一电极部在第一方向上呈往复迂回形延伸，多个所述第一电极部在第二方向上间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交；镂空部形成于相邻的两个所述第一电极部之间。本公开提供的电极结构，能够改善像素电压正负帧切换过程中每帧画面的亮度不同导致的闪烁现象。
技术研发人员：马涛;杨成绍
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
技术研发日：.11.19
技术公布日：.02.21
