本发明涉及芯片存储技术领域，具体涉及一种非易失性半导体存储器修复方法及装置。
背景技术：
随着集成电路工艺的不断发展及进步，对nor-flash、nand-flash、eeprom(electricallyerasableprogrammableread-onlymemory，电可擦只读存储器)等非易失性半导体存储器的良率以及使用寿命等性能要求越来越高。虽然存储芯片的制造工艺在不断的提高，但是非易失性半导体存储器在制造期间仍然会造成一些不可避免的缺陷，其中存储列中位线(bitline，bl)的缺陷会导致数据无法正确的存储和读取。
因此在存储器的设计阶段会预留一些多余的存储列，也即冗余存储列(redundancycolumn/rdncolumn)，一个存储列(column)包含多个位线。那么在对非易失性半导体存储器进行检测时，则可以用冗余存储列替换其中的不良存储列，进而完成对不良存储列的修复。
现有的修复方式是在检测到不良存储列就进行修复替换，而不考虑不良存储列中不良位线的个数。从而导致在冗余存储列数量有限的情况下，修复不良位线的个数较少，导致冗余存储列的浪费，进而导致存储器的良率下降。
技术实现要素：
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种非易失性半导体存储器修复方法和相应的一种非易失性半导体存储器修复装置。
依据本发明的一个方面，提供了一种非易失性半导体存储器修复方法，包括：
统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；
按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
可选地，所述统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量的步骤，包括：
将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；
统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
可选地，所述按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复的步骤，包括：
针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列；
利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。
可选地，所述按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复的步骤，包括：
利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。
可选地，所述按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复的步骤，包括：
以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元；
按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复；
或者，按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
根据本发明的另一方面，提供了一种非易失性半导体存储器修复装置，包括：
不良位线统计模块，用于统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；
修复模块，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
可选地，所述不良位线统计模块，包括：
数据区划分子模块，用于将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；
不良位线统计子模块，用于统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
可选地，所述修复模块，包括：
待修复存储列统计子模块，用于针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列；
第一修复子模块，用于利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。
可选地，所述修复模块，包括：
第二修复子模块，用于利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。
可选地，所述修复模块，包括：
冗余存储列划分子模块，用于以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元；
第三修复子模块，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复；
或者，第四修复子模块，用于按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
根据本发明的一种非易失性半导体存储器修复方法，可以统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。由此解决了现有的非易失性半导体存储器修复方式在冗余存储列数量有限的情况下，修复不良位线的个数较少，导致冗余存储列的浪费以及存储器的良率下降的技术问题。取得了提高非易失性半导体存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率的有益效果。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了根据本发明一个实施例的一种非易失性半导体存储器修复方法的步骤流程图；
图2示出了根据本发明一个实施例的一种非易失性半导体存储器修复方法的步骤流程图；
图3示出了根据本发明一个实施例的一种存储器中存储页的结构示意图；
图4示出了根据本发明一个实施例的一种将存储器的数据区划分为存储段的示意图；
图5示出了根据本发明一个实施例的一种非易失性半导体存储器修复方法的步骤流程图；
图6示出了根据本发明一个实施例的一种非易失性半导体存储器修复装置的结构示意图；
图7示出了根据本发明一个实施例的一种非易失性半导体存储器修复装置的结构示意图；及
图8示出了根据本发明一个实施例的一种非易失性半导体存储器修复装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
实施例一
详细介绍本发明实施例提供的一种非易失性半导体存储器修复方法。
参照图1，示出了本发明实施例中一种非易失性半导体存储器修复方法的步骤流程图。
步骤110，统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量。
其中，目标存储器中的待修复存储列可以理解为目标存储器中存在损坏的需要进行修复的存储列。例如，存在不良位线的存储列即为待修复存储列。在本发明实施例中，可以采用任何可用方法或设备检测确定目标存储器中的待修复存储列，对此本发明实施例不加以限定。而且，在本发明实施例中，也可以采用任何可用方法统计待修复存储列中不良位线的数量，对此本发明实施例也不加以限定。目标存储器可以为任意一种非易失性半导体存储器，例如，nor-flash、nand-flash、eeprom(electricallyerasableprogrammableread-onlymemory，电可擦只读存储器)等等。当然，本发明实施例所述的非易失性半导体存储器修复方法也可以适用于其他可用的存储器，对此本发明实施例不加以限定。
步骤120，按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
那么为了提高冗余存储列的使用效率，使各冗余存储列尽可能多的修复不良位线，则可以按照各待修复存储列中不良位线的数量从高到低的顺序，通过目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
例如，假设对于一目标存储器，检测到其中有三个待修复存储列a、b、c。而且统计得到a中的不良位线数量为1，b中的不良位线数量为2，c中的不良位线数量为3。如果在该目标存储器中设置有三个冗余存储列，则可以依次利用冗余存储列对待修复存储列c、待修复存储列b、待修复存储列a进行替换修复；而如果该目标存储器中设置有两个冗余存储列，则只可以依次利用冗余存储列对待修复存储列c、待修复存储列b进行替换修复。
其中，替换修复具体的可以将用以进行替换修复的冗余存储列替换相应的待修复存储列在目标存储器的作用。例如，对于上述的目标存储器，如果是利用一冗余存储列替换修复其中的待修复存储列a，那么此时则可以将该冗余存储列作为新的存储列a，在目标存储器中发挥作用。具体的将待修复存储列a中存储的数据转存至该冗余存储列中，并且在后续的使用过程中，以该冗余存储列替换待修复存储列a，等等。
可选地，在本发明实施例中，所述步骤120进一步可以包括：
子步骤121，以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元。
在实际应用中，冗余存储列也是由位线构成，而且存储列中一般可以包含多个位线。待修复存储列中一般是个别或部分位线发生损坏，待修复存储列中的不良位线个数一般会远小于冗余存储列中位线总个数，如果是利用完整的冗余存储列替换修复待修复存储列，那么此时冗余存储列中位线的利用率仍然不算高。因此在本发明实施例中，为了进一步提高冗余存储列的利用率，可以对冗余存储列进行进一步划分。具体的可以p个位线为一组，将目标存储器中的冗余存储列划分为多个冗余存储单元。其中的p可以根据需求进行预先设置，对此本发明实施例不加以限定。
例如，可以8个位线为一组，或者4个位线为一组，或者1个位线为一组，等等。冗余存储单元中包含的位线越少，冗余存储列的利用率就越高，以1个位线为一组为例，则每根冗余存储单元都可以修复一个不良位线，冗余存储列的利用率最高。但是此时译码电路会非常庞大，造成目标存储器面积和功耗的增加。
子步骤a122，按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
或者，子步骤b122，按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
在对冗余存储列进行划分之后，则可以利用冗余存储单元对待修复存储列中的不良位线进行替换修复。如果优先对损坏较严重的待修复存储列进行替换修复，那么此时仍然可以按照各待修复存储列中不良位线的数量从高到低的顺序，通过冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。而如果目的在于尽可能地修复更多的待修复存储列，此时则可以优先修复损坏较轻的待修复存储列，具体的可以按照各待修复存储列中不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
例如，对于前述的目标存储器，检测到其中有三个待修复存储列a、b、c。而且统计得到a中的不良位线数量为1，b中的不良位线数量为2，c中的不良位线为数量为3。假设此时以4个位线为一组将该目标存储器中的冗余存储列划分为5个冗余存储单元。如果按照各待修复存储列中不良位线的数量从高到低的顺序，通过冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复，那么则可以先用3个冗余存储单元分别替换修复待修复存储列c中的3个不良位线，进而用2个冗余存储单元分别替换修复待修复存储列b中的2个不良位线。而如果按照各待修复存储列中不良位线的数量从低到高的顺序，通过冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复，那么则可以先用1个冗余存储单元分别替换修复待修复存储列a中的1个不良位线，进而用2个冗余存储单元分别替换修复待修复存储列b中的2个不良位线，再用剩下的2个冗余存储单元分别替换修复待修复存储列c中的2个不良位线。
其中，具体的是按照子步骤a122还是子步骤b122的方式对待修复存储列进行替换修复可以根据需求进行预先设置，对此本发明实施例不加以限定。而且，在本发明实施例中，也可以基于其他原则通过冗余存储单元对待修复存储列中的不良位线进行替换修复，对此本发明实施例不加以限定。
而且，在本发明实施例中，如果目标存储器中剩余可用的冗余存储单元不足以修复一待修复存储列中全部的不良位线时，则可以设置不对该待修复存储列进行替换修复，而且还可以继续利用目标存储器中剩余可用的冗余存储单元继续修复包含不良位线数量最多且不良位线数量不大于当前剩余可用冗余存储单元数量的待修复存储列。
例如，对于一目标存储器，检测到其中有三个待修复存储列a、b、c、d。而且统计得到a中的不良位线数量为1，b中的不良位线数量为2，c中的不良位线为数量为3，d中的不良位线数量为4。假设此时以4个位线为一组将该目标存储器中的冗余存储列划分为5个冗余存储单元。如果按照各待修复存储列中不良位线的数量从高到低的顺序，通过冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复，那么则可以先用4个冗余存储单元分别替换修复待修复存储列d中的4个不良位线。此时剩余可用的冗余存储单元为1个，而1个冗余存储单元不足以替换修复待修复存储列c以及b中的全部不良位线，那么则可以不继续对目标存储器进行修复。也可以继续利用目标存储器中剩余可用的冗余存储单元继续修复包含不良位线数量最多且不良位线数量不大于当前剩余可用冗余存储单元数量的待修复存储列，例如可以用当前剩余可用的1个冗余存储列替换修复待修复存储列a中的1个不良位线。
在本发明实施例中，可以统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。由此能够提高非易失性半导体存储器中冗余存储列的利用率以及存储器良率。
而且，在本发明实施例中，还可以以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复；或者，按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。从而可以进一步提高非易失性半导体存储器中冗余存储列的利用率以及存储器良率。
实施例二
详细介绍本发明实施例提供的一种非易失性半导体存储器修复方法。
参照图2，示出了本发明实施例中一种非易失性半导体存储器修复方法的步骤流程图。
步骤210，将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段。
在实际应用中，存储器中可以包含至少一个存储页(page)，而存储页的结构可以如图3所示，在一存储页中可以包含数据区(dataline)、空闲区(spareline)和冗余区(rdn/redundancyline)等存储区，而在不同的存储区中又可以包含至少一个存储列(column)。目标存储器使用过程时，通常按多个存储列组成的存储段(segment)进行编码，那么为了与目标存储器的实际使用情况更加适配，在本发明实施例中，可以将目标存储器的数据区划分为n个存储段。其中n的具体取值可以根据需求进行预先设置，对此本发明实施例不加以限定。例如，如图4所示，将数据区划分为n个存储段，且每个存储段中包含m个存储列，而一个存储列中可能包含k个位线。
步骤220，统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
在将目标存储器的数据区划分为n个存储段之后，则可以进一步统计各存储段的待修复存储列中不良位线的数量，具体的方式可以与前述的步骤210类似，在此不加以赘述。
步骤230，针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列。
此时为了保证各个存储段中的存储列的不良率能够相对平均，可以利用冗余存储列分别对各个存储段中不良位线较高的待修复存储列进行替换修复。此时则可以针对各存储段，分别统计各存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列。其中m的取值可以根据需求进行预先设置，对此本发明实施例不加以限定。
步骤240，利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。
在确定了各个存储段中的不良位线的数量最高的前m个待修复存储列之后，则可以利用目标存储器的冗余存储列对各个存储段中确定的m个待修复存储列进行替换修复。
需要说明的是，在本发明实施例中，也可以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元，同时将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段。进而针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列。利用所述目标存储器的冗余存储单元对所述待修复存储列中的各个不良位线进行替换修复。
在本发明实施例中，可以统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。由此能够提高非易失性半导体存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
而且，在本发明实施例中，还可以将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。并且针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列；利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。从而可以更接近用户对存储器的使用习惯，且使存储器中各个存储段的不良情况比较均衡，进一步提高存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
实施例三
详细介绍本发明实施例提供的一种非易失性半导体存储器修复方法。
参照图5，示出了本发明实施例中一种非易失性半导体存储器修复方法的步骤流程图。
步骤310，将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段。
步骤320，统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
步骤330，利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。
在本发明实施例中，还可以对各个存储列中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对各存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。其中l的具体取值可以根据需求进行预先设置，对此本发明实施例不加以限定。
而且，在具体执行时，可以在检测各个存储段中不良位线的同时对检测到的满足步骤330中修复条件的待修复存储列进行替换修复，也可以在对目标存储器的全部存储段中的不良位线都检测统计完成后，再统一对满足步骤330中的修复条件的待修复存储列进行替换修复，对此本发明实施例不加以限定。
在本发明实施例中，可以统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。由此能够提高非易失性半导体存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
而且，在本发明实施例中，还可以将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。并且利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。同样可以更接近用户对存储器的使用习惯，且使存储器中各个存储段的不良情况比较均衡，进一步提高存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
实施例四
详细介绍本发明实施例提供的一种非易失性半导体存储器修复装置。
参照图6，示出了本发明实施例中一种非易失性半导体存储器修复装置的结构示意图。具体包括：
不良位线统计模块410，用于统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量。
修复模块420，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
可选地，在本发明实施例中，所述修复模块420，进一步可以包括：
冗余存储列划分子模块421，用于以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元。
第三修复子模块a422，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
或者，第四修复子模块b422，用于按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
在本发明实施例中，可以统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。由此能够提高非易失性半导体存储器中冗余存储列的利用率以及存储器良率。
而且，在本发明实施例中，还可以以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复；或者，按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。从而可以进一步提高非易失性半导体存储器中冗余存储列的利用率以及存储器良率。
实施例五
详细介绍本发明实施例提供的一种非易失性半导体存储器修复装置。
参照图7，示出了本发明实施例中一种非易失性半导体存储器修复装置的结构示意图。具体包括：
不良位线统计模块510，用于统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量。
可选地，在本发明实施例中，所述不良位线统计模块510，进一步可以包括：
数据区划分子模块511，用于将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段。
不良位线统计子模块512，用于统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
修复模块520，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
可选地，在本发明实施例中，所述修复模块520，进一步可以包括：
待修复存储列统计子模块521，用于针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列。
第一修复子模块522，用于利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。
在本发明实施例中，可以统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。由此能够提高非易失性半导体存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
而且，在本发明实施例中，还可以将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。并且针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列；利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。从而可以更接近用户对存储器的使用习惯，且使存储器中各个存储段的不良情况比较均衡，进一步提高存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
实施例六
详细介绍本发明实施例提供的一种非易失性半导体存储器修复装置。
参照图8，示出了本发明实施例中一种非易失性半导体存储器修复装置的结构示意图。具体包括：
不良位线统计模块610，用于统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量。
可选地，在本发明实施例中，所述不良位线统计模块610，进一步可以包括：
数据区划分子模块611，用于将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段。
不良位线统计子模块612，用于统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
修复模块620，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
可选地，在本发明实施例中，所述修复模块620，进一步可以包括：
第二修复子模块621，用于利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。
在本发明实施例中，可以统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。由此能够提高非易失性半导体存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
而且，在本发明实施例中，还可以将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。并且利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。同样可以更接近用户对存储器的使用习惯，且使存储器中各个存储段的不良情况比较均衡，进一步提高存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
在此提供的算法和显示不与任何特定计算机、虚拟系统或者其它设备固有相关。各种通用系统也可以与基于在此的示教一起使用。根据上面的描述，构造这类系统所要求的结构是显而易见的。此外，本发明也不针对任何特定编程语言。应当明白，可以利用各种编程语言实现在此描述的本发明的内容，并且上面对特定语言所做的描述是为了披露本发明的最佳实施方式。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(dsp)来实现根据本发明实施例的非易失性半导体存储器修复设备中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本发明还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本发明的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
技术特征：
1.一种非易失性半导体存储器修复方法，包括：
统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；
按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量的步骤，包括：
将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；
统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复的步骤，包括：
针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列；
利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复的步骤，包括：
利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复的步骤，包括：
以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元；
按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复；
或者，按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
6.一种非易失性半导体存储器修复装置，包括：
不良位线统计模块，用于统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；
修复模块，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述不良位线统计模块，包括：
数据区划分子模块，用于将所述目标存储器的数据区划分为n个存储段；
不良位线统计子模块，用于统计所述存储段的待修复存储列中不良位线的数量。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述修复模块，包括：
待修复存储列统计子模块，用于针对各所述存储段，分别统计所述存储段中不良位线的数量最高的前m个待修复存储列；
第一修复子模块，用于利用所述目标存储器的冗余存储列对所述待修复存储列进行替换修复。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述修复模块，包括：
第二修复子模块，用于利用所述冗余存储列，对所述存储段中包含至少两个不良位线的待修复存储列进行替换修复，同时对所述存储段中第l个出现的包含一个不良位线的待修复存储列进行替换修复。
10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述修复模块，包括：
冗余存储列划分子模块，用于以p个位线为一组，将所述冗余存储列划分为多个冗余存储单元；
第三修复子模块，用于按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复；
或者，第四修复子模块，用于按照所述不良位线的数量从低到高的顺序，通过所述冗余存储单元对相应待修复存储列中的不良位线进行替换修复。
技术总结
本发明公开了一种非易失性半导体存储器修复方法和装置，涉及芯片存储技术领域，所述方法，包括：统计目标存储器的待修复存储列中不良位线的数量；按照所述不良位线的数量从高到低的顺序，通过所述目标存储器的冗余存储列对相应待修复存储列进行替换修复。解决了现有的非易失性半导体存储器修复方式在冗余存储列数量有限的情况下，修复不良位线的个数较少，导致冗余存储列的浪费以及存储器的良率下降的技术问题。取得了提高非易失性半导体存储器中冗余存储列利用率以及存储器良率的有益效果。
技术研发人员：张新楼;潘荣华;马英
受保护的技术使用者：北京兆易创新科技股份有限公司
技术研发日：.05.30
技术公布日：.12.10
