制造微机电元件的方法以及该微机电元件的制作方法
【专利说明】制造微机电元件的方法以及该微机电元件
本申请是申请日为11月21日、发明名称为“制造微机电元件的方法以及该微机电元件”的申请号为80043980.7的专利申请的分案申请。
技术领域
[0001]本发明涉及微机电元件，诸如用于测量例如加速度、角加速度、角速度或其它物理量的微机电测量仪，用于稳定振荡频率或过滤电信号的微机电谐振器和滤波器，以及需要将封装的微机电部件与微电路合成的其它微机电装置等。本发明的目的是提供一种改进的制造微机电元件的方法，以及具体适用于小型微机电传感器的解决方案、稳定振荡频率的解决方案或者过滤电信号的解决方案的微机电元件。
【背景技术】
[0002]微机电元件(MEMS，Microelectromechanical systems)在例如测量如加速度、角速度或压力等各种物理量的传感器技术中的应用已经证实是一种原理简单的可靠方法。在微机电传感器中，测量是基于例如电容原理实现的，其中传感器的运动状态的改变引起由弹簧悬挂的震动质量块的位移。质量块的位置可以通过一对电极之间的电容检测，表面之间的电容取决于它们的表面积以及表面之间的距离。即使在各个物理量的非常小的测量范围内，也可以基于微机电传感器进行测量。
[0003]在用于数据通信和数据处理的装置中，大部分功能已经被集成于一个或最多几个硅芯片中来实现。然而，由于它们在技术上的不兼容性，从而将实现数据处理同步、射频稳定、电信号过滤、电抗匹配和电信号切换的功能集成往往是不太可能的。在基于硅技术的MEMS谐振器和MEMS滤波器中，硅元件例如通过静电作用力被设定为机械振荡运动，并且硅元件的形状和尺寸被用于控制由连接件间的电声耦合或者连接件间的信号传播所引起的阻抗。在MEMS开关中，信号通道由采用MEMS技术制造的可移动元件打开或关闭，所述元件例如受静电作用力控制。对于阻抗匹配装置，诸如线圈或电容器等细小的无源元件采用MEMS技术制造。电容器可以是可调且、隔离空气的MEMS结构。
[0004]传统上，集成电路例如采用安装在金属引线框架上的技术密封。在电路的连接点上结合连接导线，连接导线的其它端连接至引线框架的结合区。然后，引线框架和电路用塑料浇铸，最后，外部连接区或连接导线通过切割、弯曲或其它诸如此类的方法形成，其中，所述微机电元件通过这些外部连接区或连接导线连接至电路板上。
[0005]在电子元件的制造中，晶片级封装(WLP)是一种用于硅芯片和类似电子元件的新型封装方法，其中，所有的封装步骤在切片之前在硅片的表面上完成。因此，极大地节省了尺寸和成本。现有技术的方法的例子是Amkor公司的超CSP (Chip Scale Packing，芯片级封装)技术，其中，将较厚的聚合物层散布在硅片的表面上，布置铜引线，并且安装或布置焊接突起，通过所述焊接突起芯片可以直接连接至电路板上。
[0006]微机电元件和诸如集成电路的电子元件的区别在于，取代借助于固体材料的钝化，例如氮化物钝化，所述微机电元件需要机械保护，即需要在下方留有开放空间的盖子，所述机电结构可以在所述空间中运动。对微机电元件实施晶片级封装特别有利，原因是它们具有大尺寸的特征，尤其是厚度大，从而采用传统方法封装，它们可能大于，尤其是厚于以相应方法封装的微电路。另一方面，由于必需盖子，微机电元件的封装存在问题。
[0007]微机电元件必须气密性密封，从而运动的部件处于与外界环境隔绝的腔中。这种密封可以通过将微机电晶片结合至另一个称为“覆盖晶片”的晶片上实现。覆盖晶片在微机电元件中的应用是众所周知的。
[0008]微机电传感器元件中的另一个主要问题是电气功能与微机电元件的集成。这个问题可以借助于已知的封壳级集成方式解决，所述封壳级集成具有包括介电和导电部件的外部封壳。在封壳级集成中，部件之间的导线连接将各部件集成为一个单元。
[0009]下面示例性地参照附图对现有技术进行描述，其中:
[0010]图1示出了根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法。
[0011]图2示出了根据现有技术在塑铸封壳中实施集成制造微机电元件的方法。
[0012]图3示出了根据现有技术通过在塑铸封壳中堆叠实施集成制造微机电元件的方法。
[0013]图1示出了根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法。在根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法中，在相同的硅片3上制造微机电芯片部件I和电子电路部件2，并且它们之间的电连接通过金属薄膜建立。微机电芯片部件I和电子电路部件2受到共用覆盖部件4保护，它们由导线连接5连接，并且还被铸造在塑铸封壳6中。现有技术的微机电元件还包括金属引线框架7。
[0014]图2示出了根据现有技术通过在塑铸封壳中实施集成制造微机电元件的方法。在根据现有技术通过在塑铸封壳中的集成制造微机电元件的方法中，微机电芯片部件8和电子电路部件9是单独地在相同的硅片元件10上制造的。微机电芯片部件8受单独的覆盖部件11保护。微机电芯片部件8和电子电路部件9之间的电连接通过导线连接12实现。电子电路部件9通过导线连接13连接。然后，包含微机电芯片部件8和电子电路部件9的整体被铸在塑铸封壳14中。现有技术的微机电兀件还包括金属引线框架15。
[0015]图3示出了根据现有技术通过在塑铸封壳中堆叠实施集成制造微机电元件的方法。在根据现有技术通过在塑铸封壳中堆叠实施集成制造微机电元件的方法中，在硅片17上制造微机电芯片部件16。微机电芯片部件16受单独的覆盖部件18保护。在覆盖部件的顶上制造电子电路部件19。微机电芯片部件16和电子电路部件19之间的电连接通过导线连接20实现。微机电芯片部件16通过导线连接21连接。然后，包含微机电芯片部件16和电子电路部件19的整体被铸在塑铸封壳22中。现有技术的微机电兀件还包括金属引线框架23。
[0016]在现有技术的解决方案中，将微机电元件的电气功能和微机电元件集成的主要问题在于由覆盖晶片以及微机电芯片部件和电子电路部件两个部件带来较大的尺寸。当将这些元件铸在本领域惯用的塑料封壳中时，这种方案的尺寸变得较大。
[0017]此外，在现有技术的解决方案中，将微机电元件的电气功能和微机电元件集成的问题还有用于结合区的电路方案表面积的浪费。
[0018]从而，在专业类和消费类电子产品的制造中，对小型微机电元件的需要明显增加，其中已经解决了电气功能和微机电元件集成的问题，并且具体适用于小型微机电传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。
【发明内容】
[0019]本发明提供一种制造微机电元件的方法，所述微机电元件包括微机电芯片部件和电子电路部件，所述方法包括:由覆盖部件密封微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构；借助于第一结合构件将所述微机电芯片部件结合至所述电子电路部件的第一表面，用以将所述微机电芯片部件和所述电子电路部件彼此结合，其中所述微机电芯片部件的所述覆盖部件面对所述电子电路部件，并且所述电子电路部件的所述第一表面大于所述微机电芯片部件，靠近所述微机电芯片部件，在所述电子电路部件的所述第一表面上制造用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件，所述第二结合构件为凸起连接件，其中所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件和所述第一结合构件的总高度。
[0020]本发明还提供一种微机电元件，其包括:由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，以及电子电路部件，其中借助于第一结合构件，所述微机电芯片部件结合至所述电子电路部件的第一表面，所述微机电芯片部件的所述覆盖部件面对所述电子电路部件；所述电子电路部件的所述第一表面大于所述微机电芯片部件，并且靠近所述微机电芯片部件，所述电子电路部件的所述第一表面包括用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件，并且所述第二结合构件是突起连接件，其中所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件和所述第一结合构件的总高度。
[0021]本发明还提供一种包括上述的微机电元件的微机电加速度传感器、微机电角加速度传感器、微机电角速度传感器、微机电压力传感器、微机电振荡频率稳定器、微机电电信号滤波器、微机电电信号切换元件以及微机电电阻抗匹配装置。
[0022]本发明的目的是提供一种改进的制造微机电元件的方法，以及一种改进的微机电元件。通过本发明获得了一种微机电元件方案，其中微机电元件与电气功能以优选的方式集成，并且还具体适用于小型微机电运动传感器方案、压力传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。
[0023]本发明涉及微机电元件，例如用于测量例如加速度、角加速度、角速度或其它物理量的微机电测量仪，或者用于稳定振荡频率、过滤电信号、切换电信号或匹配电阻抗的微机电装置。本发明的目的还在于提供一种改进的制造微机电元件的方法，以及具体适用于小型微机电传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案或者电阻抗匹配方案的微机电元件。
[0024]根据本发明的第一特征，提供了一种制造微机电元件的方法，在所述方法中，微机电芯片部件由覆盖部件密封，所述覆盖部件设置有穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在所述方法中，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或者 -电子电路部件，
从而， -所述第一部件和所述第二部件通过第一结合构件结合，并且-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件。
[0025]优选地，所述覆盖部件主要由玻璃制成，从而，在所述覆盖部件中，穿过玻璃兀件延伸的导电区由硅制成。可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件上制造玻璃绝缘体，从而穿过所述玻璃绝缘体延伸的导电区由硅制成。另外可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造玻璃绝缘体，从而所述覆盖部件分为带状的导电区。另外可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造玻璃绝缘体，从而所述覆盖部件被分为孤立的导电区。另外可选择地，所述覆盖部件和/或玻璃绝缘体由其它一些已知的介电材料替代玻璃制成。另外可选择地，所述覆盖部件和/或导电区由其它一些已知的导电材料替代硅制成。
[0026]优选地，所述覆盖部件的导电引入部与微机电芯片部件之间的电连接的形成通过直接结合实现。可选择地，所述覆盖部件的导电引入部与微机电芯片部件之间的电连接的形成通过位于在表面上的金属层实现。另外可选择地，所述覆盖部件的导电引入部与微机电芯片部件之间的电连接的形成通过焊接突起实现。
[0027]优选地，在所述覆盖部件附着至所述微机电芯片部件之前，在所述覆盖部件的表面上制造重分布层。可选择地，在所述覆盖部件附着至所述微机电芯片部件之后，在所述覆盖部件的表面上制造重分布层。
[0028]优选地，通过所述重分布层，在所述覆盖部件的导电区与所述第一结合构件之间建立导电连接。可选择地，通过所述重分布层，在所述第一结合构件与所述第二结合构件之间建立导电连接。优选地，在制造所述重分布层之前，在所述覆盖部件的表面上制造介电层。优选地，在所述重分布层的顶上制造保护层。
[0029]优选地，在所述电路部件的表面上制造所述第一结合构件。可选择地，在所述覆盖部件的重分布层上，在所述保护层的开口中制造所述第一结合构件。另外优选地，所述电子电路部件通过倒装结合(flip-flop bonding)法连接至保护所述微机电芯片部件的所述覆盖部件的表面。
[0030]优选地，所述电子电路部件小于所述微机电芯片部件。优选地，所述电子电路部件与所述微机电芯片部件的覆盖部件之间的窄隙用底层填料填充。优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过导线连接实现。另外优选地，在所述微机电元件上方铸造塑铸封壳。
[0031]优选地，所述微机电元件的第二结合构件由突起连接件实现。另外优选地，所述突起连接件的高度至少等于所述电子电路部件和所述第一结合构件的总高度。
[0032]优选地，在倒装结合之前布置所述突起连接件。可选择地，所述突起连接件的布置是与倒装结合的制造过程交叉进行的。优选地，所述微机电元件通过倒装结合法连接至所述电路板的表面，从而所述突起连接件与所述电路板的连接区对齐。
[0033]优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过粘接接头实现。可选择地，所述微机电元件的第二结合构件通过直接焊接的接头实现。另外优选地，所述第二结合构件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。优选地，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。
[0034]优选地，在所述电子电路部件的表面上制造所述第一结合构件。可选择地，在保护所述微机电芯片部件的所述覆盖部件的重分布层的顶上，在所述保护层的开口中制造所述第一结合构件。另外优选地，所述微机电芯片部件通过倒装结合法连接至所述电子电路部件的表面，所述覆盖部件与所述电子电路部件的表面相对。
[0035]优选地，所述微机电芯片部件小于所述电子电路部件。优选地，在所述电子电路部件和所述微机电芯片部件的覆盖部件之间的窄隙用底层填料填充。优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过导线连接实现。另外优选地，在所述微机电元件的上方铸造塑铸封壳。
[0036]优选地，所述微机电元件的第二结合构件由突起连接件实现。另外优选地，所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件和所述第一结合构件的总高度。
[0037]优选地，在倒装结合之前制造所述突起连接件。可选择地，所述突起连接件的布置是与倒装结合的制造过程交叉进行的。优选地，所述微机电元件通过倒装结合法附着于所述电路板的表面上，从而所述突起连接件与所述电路板的连接区对齐。
[0038]优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过粘接接头实现。可选择地，所述微机电元件的第二结合构件通过直接焊接的接头实现。另外优选地，所述第二结合构件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。优选地，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。
[0039]优选地，所述微机电元件的电子电路部件具有处理电信号的处理能力。优选地，包括成套的所述第二部件的板状基底作为用于安装所述第一部件的基底。另外优选地，成套的所述第一部件一个接一个地安装在包括成套的所述第二部件的板状基底的表面上。另外优选地，只有通过检测的所述第一部件可以只安装于通过检测的所述第二部件的表面上。优选地，包括所述第二部件的基底只在完成安装阶段后才被切片。优选地，包括所述第二部件的板状基底只在完成最终测试后才被切片。
[0040]根据本发明的第二特征，提供了一种微机电元件，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件和所述第二部件通过第一结合构件连接，
-所述第二部件大于所述第一部件，在所述第二部件的表面上靠近所述第一部件制造用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件。
[0041]优选地，所述覆盖部件主要由玻璃制成，从而，在所述覆盖部件中，制造穿过玻璃元件延伸的硅导电区。可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件上制造玻璃绝缘体，从而，在所述覆盖部件中制造穿过所述玻璃绝缘体延伸的导电区。另外优选地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造玻璃绝缘体，从而，所述覆盖部件分为带状的导电区。另外优选地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造玻璃绝缘体，从而，所述覆盖部件被分为孤立的导电区。另外可选择地，所述覆盖部件和/或所述玻璃绝缘体由其它一些已知的介电材料替代玻璃制成。另外可选择地，所述覆盖部件和/或所述导电区由其它一些已知的导电材料替代硅制成。
[0042]优选地，所述覆盖部件的导电引入部与所述微机电芯片部件之间的电连接的形成通过直接结合实现。可选择地，所述覆盖部件的导电引入部与所述微机电芯片部件之间的电连接的形成通过位于在表面上的金属层实现。另外可选择地，所述覆盖部件的导电引入部与所述微机电芯片部件之间的电连接的形成通过焊接突起实现。
[0043]优选地，在所述覆盖部件的表面上制造重分布层。另外优选地，通过所述重分布层，在所述覆盖部件的导电区与所述第一结合构件之间建立导电连接。可选择地，通过所述重分布层，在所述第一结合构件与所述第二结合构件之间建立导电连接。优选地，在制造所述重分布层之前，在所述覆盖部件的表面上制造介电层。优选地，在所述重分布层的顶上制造保护层。
[0044]优选地，在所述电路部件的表面上制造所述第一结合构件。可选择地，在所述覆盖部件的重分布层的顶上，在所述保护层的开口中制造所述第一结合构件。另外优选地，所述电子电路部件结合至保护所述微机电芯片部件的所述覆盖部件的表面。
[0045]优选地，所述电子电路部件小于所述微机电芯片部件。优选地，所述电子电路部件与所述微机电芯片部件之间的窄隙用底层填料填充。优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过导线连接实现。另外优选地，在所述微机电元件上方铸造塑铸封壳。
[0046]优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过突起连接件实现。另外优选地，所述突起连接件的高度至少等于所述电子电路部件和所述第一结合构件的总高度。优选地，所述微机电元件连接至所述电路板的表面，从而结合突起与所述电路板的连接区对齐。
[0047]优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过粘接接头实现。可选择地，所述微机电元件的第二结合构件通过直接焊接的接头实现。另外优选地，所述第二结合构件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。优选地，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。
[0048]优选地，在所述电子电路部件的表面上制造所述第一结合构件。可选择地，在保护所述微机电芯片部件的所述覆盖部件的重分布层上，在所述保护层的开口中制造所述第一结合构件。另外优选地，所述微机电芯片部件连接至所述电子电路部件的表面，所述覆盖部件与所述电子电路部件的表面相对。
[0049]优选地，所述微机电芯片部件小于所述电子电路部件。优选地，所述电子电路部件和所述微机电芯片部件的覆盖部件之间的窄隙用底层填料填充。优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过导线连接实现。另外优选地，在所述微机电元件的上方铸造塑铸封壳。
[0050]优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过突起连接件实现。另外优选地，所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件和所述第一结合构件的总高度。优选地，所述微机电元件连接至所述电路板的表面，从而，结合突起与所述电路板的连接区对齐。
[0051]优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过粘接接头实现。另外优选地，所述粘接接头形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。优选地，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。
[0052]优选地，所述微机电元件的第二结合构件通过直接焊接的接头实现。优选地，所述微机电元件的电子电路部件具有电信号处理的能力。
[0053]根据本发明的第三特征，提供了一种微机电加速度传感器，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电加速度传感器的外部连接的第二结合构件。
[0054]根据本发明的第四特征，提供了一种微机电角加速度传感器，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电角加速度传感器的外部连接的第二结合构件。
[0055]根据本发明的第五特征，提供了一种微机电角速度传感器，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电角速度传感器的外部连接的第二结合构件。
[0056]根据本发明的第六特征，提供了一种微机电压力传感器，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电压力传感器的外部连接的第二结合构件。
[0057]根据本发明的第七特征，提供了一种微机电振荡频率稳定器，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电振荡频率稳定器的外部连接的第二结合构件。
[0058]根据本发明的第八特征，提供了一种微机电电信号滤波器，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电电信号滤波器的外部连接的第二结合构件。
[0059]根据本发明的第九特征，提供了一种微机电电信号切换元件，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电电信号切换元件的外部连接的第二结合构件。
[0060]根据本发明的第十特征，提供了一种微机电电阻抗匹配装置，包括:
-由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于提供穿过所述覆盖部件的电连接的引入结构，和-电子电路部件，
从而，第一部件是下列部件之一，第二部件是不同于所述第一部件的另一个并且也是下列部件之一:
-由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件，或 -所述电子电路部件，
从而，
-所述第一部件通过第一结合构件结合至所述第二部件上，
-所述第二部件大于所述第一部件并靠近所述第一部件，在所述第二部件的表面上制造用于所述微机电电阻抗匹配装置的外部连接的第二结合构件。
【附图说明】
[0061]下面示例性地参照附图对本发明及其优选实施例作详细描述。在附图中:
[0062]图1示出了根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法，
[0063]图2示出了根据现有技术在塑铸封壳中实施集成制造微机电元件的方法，
[0064]图3示出了根据现有技术在塑铸封壳中堆叠实施集成制造微机电元件的方法，
[0065]图4示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的截面图和投影图，
[0066]图5示出了本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件的截面图和投影图，
[0067]图6示出了本发明微机电元件方案的第二可选择的覆盖部件的截面图和投影图，
[0068]图7示出了本发明微机电元件方案的第三可选择的覆盖部件的截面图和投影图，
[0069]图8示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件与微机电芯片部件连接的截面图，
[0070]图9示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的投影图，
[0071]图10示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的截面图，
[0072]图11示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的可选择的重分布层方案的截面图，
[0073]图12示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第二可选择的重分布层方案的截面图，
[0074]图13示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第三可选择的重分布层方案的截面图，
[0075]图14示出了用于本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性保护层方案的截面图，
[0076]图15示出了实施本发明微机电元件方案的截面图，其中电子电路部件附着于微机电芯片部件的顶上，
[0077]图16示出了实施本发明微机电元件方案的投影图，其中电子电路部件附着于微机电芯片部件的顶上，
[0078]图17示出了本发明微机电元件方案的电子电路部件的底层填料方案的截面图，
[0079]图18示出了本发明微机电元件方案的外部连接的示例性实施方案的截面图，
[0080]图19示出了本发明微机电元件方案的突起连接件方案的截面图，
[0081]图20示出了通过突起连接件方案将本发明微机电元件方案附着于电路板上的截面图，
[0082]图21示出了实施本发明可选择的微机电元件方案的截面图，其中微机电芯片部件附着于电子电路部件的顶上，
[0083]图22示出了实施本发明可选择的微机电元件方案的投影图，其中微机电芯片部件附着于电子电路部件的顶部，
[0084]图23示出了本发明可选择的微机电元件方案的示例性外部连接实施方案的截面图，
[0085]图24示出了本发明可选择的微机电元件方案的突起连接件方案的截面图，以及
[0086]图25示出了本发明可选择的微机电元件方案的粘接接头方案的截面图。
[0087]图1-3已在上面作了介绍。下面参照图4-25描述本发明及其优选实施例。
【具体实施方式】
[0088]图4示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字24表示，并且通常主要由玻璃制成。覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电区25-27，导电区25-27通常由硅制成。导电区25-27可以是窄且高状的。
[0089]图5示出了本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件用数字28表示，并且主要由硅制成。可选择的覆盖部件28包括穿过元件延伸的导电区29-31，导电区29-31通常由硅制成。可选择的覆盖部件28的导电区29-31通过玻璃绝缘体32与覆盖部件28的本体隔离，玻璃绝缘体32还隔离覆盖部件28的底部。导电区29-31可以是窄且高状的。
[0090]图6示出了本发明微机电元件方案的第二可选择的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的第二可选择的覆盖部件用数字33表示，并且主要由硅制成。第二可选择的覆盖部件33由窄的玻璃绝缘体37-40被分为带状的导电区34-36。导电区34-36通常由硅制成。第二可选择的覆盖部件33的玻璃绝缘体37-40还隔离覆盖部件33的底部。
[0091]图7示出了本发明微机电元件方案的第三可选择的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的第三可选择的覆盖部件用数字41表示，并且主要由硅制成。第三可选择的覆盖部件41由窄的玻璃绝缘体45分为孤立的导电区42-44。导电区42-44通常由硅制成。第三可选择的覆盖部件41的玻璃绝缘体45还隔离覆盖部件41的底部。
[0092]在本发明的方案中，还可以使用其它类型的覆盖部件，其中，相互隔离的电连接基本上垂直穿过覆盖部件从一个平面至另一个平面形成。
[0093]图8示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件与微机电芯片部件连接的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件46由覆盖部件47密封，其具有穿过覆盖部件47提供电连接的引入结构。在本发明的方案中，通过从底部的微机电芯片部件46至玻璃覆盖部件47的平面的硅引入部提供电连接。
[0094]微机电元件方案的覆盖部件47的导电引入部和微机电芯片部件46之间的接头可以通过表面的金属层、焊接突起或其它一些结合装置，或者其它装置直接形成。
[0095]图9示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的投影图。在本发明微机电元件方案的覆盖部件48的表面上，通过重分布层49-52制造导电接触区49-52，所述导电接触区提供引入部和稍后将安装于表面上的焊接突起之间的导电连接。这些接触区49-52是用于电子电路部件的接触区，也是用于微机电元件方案的外部连接的接触区。
[0096]在将微机电元件方案的覆盖部件48附着于微机电芯片部件之前或者之后制造重分布层49-52。本发明的导电重分布层49-52使引入部和突起的位置尽可能优选地彼此独立。通过导电重分布层49-52，除了在引入部和突起之间，还可以在用于不同目的的焊接突起之间建立连接。
[0097]图10示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的示例性覆盖部件用数字24表示，并且通常主要由玻璃制成。覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电区25-27，导电区25-27通常由硅制成。
[0098]在本发明微机电元件方案的示例性覆盖部件24的表面上制造导电重分布层53，导电重分布层53提供引入部和稍后将安装于表面上的焊接突起之间的导电连接。由于示例性覆盖部件24主要由介电材料制成，从而导电重分布层53可以直接布置在覆盖部件24的表面上。
[0099]图11示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的可选择的重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字24表示，并且通常主要由玻璃制成。覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电区，所述导电区通常由硅制成。
[0100]首先，在本发明微机电元件方案的覆盖部件24的表面上制造介电层54。通过本发明覆盖部件24的介电层54，例如可以获得优化强度的覆盖部件24的表面。接着，在本发明覆盖部件24的表面上制造导电重分布层55，导电重分布层55提供引入部和稍后将安装于表面上的焊接突起之间的导电连接。重分布层55的结构和其各个区域的功能与那些在图9的投影图中所描述的用于在引入部晶片的表面上直接制造的重分布层相同。
[0101]图12示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第二可选择的重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字28表示，并且主要由硅制成。覆盖部件28包括穿过硅元件延伸的导电区，所述导电区通常由硅制成。覆盖部件28的导电区通过玻璃绝缘体与覆盖部件28的本体隔尚，还与覆盖部件28的底部隔尚。
[0102]首先，在本发明微机电元件方案的覆盖部件28的表面上制造介电层56。通过本发明覆盖部件28的介电层56，例如可以获得优化强度的覆盖部件28的表面。所述介电层在选择用于覆盖部件的材料时也是必要的。其次，在本发明的覆盖部件28的表面上制造导电重分布层57，导电重分布层57提供引入部和稍后将安装于表面上的焊接突起之间的导电连接。
[0103]图13示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第三可选择的重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字33表示，并且主要由硅制成。覆盖部件33由窄的玻璃绝缘体分为带状的导电区。所述导电区通常由硅制成。第三可选择的覆盖部件33的玻璃绝缘体还隔离覆盖部件33的底部。
[0104]首先，在本发明的微机电元件方案的覆盖部件33的表面上制造介电层58。通过本发明覆盖部件33的介电层58，例如可以获得最佳强度的覆盖部件33的表面。所述介电层在选择用于覆盖部件的材料时也是必要的。接着，在本发明的覆盖部件33的表面上制造导电重分布层59，导电重分布层59提供引入部和稍后将安装于表面上的焊接突起之间的导电连接。
[0105]图14示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性保护层方案的截面图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字24表示，并且通常主要由玻璃制成。覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电区，所述导电区通常由硅制成。首先，在覆盖部件24的表面上制造介电层54，并随后制造提供引入部和稍后将安装于表面上的焊接突起之间的导电连接的导电重分布层55。
[0106]在本发明微机电元件方案的覆盖部件24的重分布层55的顶上，另外制造由介电材料制成的保护层60。保护层60覆盖除开口外的整个表面，稍后，诸如突起、导线、粘接件、焊接件或其它连接件等连接件就要在所述开口中制造。所述开口是电子电路部件的接触区，也是微机电元件方案的外部连接的接触区。保护层60的目的是当焊接突起接头熔化时保护金属层免受环境影响并限定焊接突起接头的表面区域。
[0107]类似于保护层60的保护层同样可以很好地用于与图10、图12和图13的重分布层方案连接。
[0108]图15示出了实施本发明微机电元件方案的截面图，其中电子电路部件附着于微机电芯片部件的顶上。在本发明的方案中，微机电芯片部件46由覆盖部件24密封，覆盖部件24包括穿过覆盖部件24提供电连接的引入结构。首先，在覆盖部件24的表面上制造介电层54，然后制造导电重分布层55，再进一步制造由介电材料制成的保护层60。
[0109]通过在倒装结合法中常用的方法，在本发明微机电元件方案的电路部件64的表面上制造结合突起61-63。所述突起形成与电路部件的信号处理电路的导电连接。在本发明的方案中，电路部件通过倒装结合法附着于保护微机电芯片部件46的覆盖部件24的表面上，从而突起61-63与保护层60的开口对齐，并且形成与重分布层55的导电区的导电连接，并进一步通过穿过覆盖部件24的引入部连接至位于微机电芯片部件46表面顶部的导电层的区域，或者位于介电层上的导电层的区域。在本发明的方案中，微机电元件方案的覆盖部件24的导电引入部和微机电芯片部件46之间的接头可以通过表面上的金属层、焊接突起或其它一些连接装置，或者其它一些方法直接形成。
[0110]可选择地，本发明微机电元件方案的微机电芯片部件46受覆盖部件24保护，在覆盖部件24的重分布层55的顶部上、保护层60的开口中制造结合突起61-63。在微机电元件方案的覆盖部件24的表面上制造的结合突起61-63通过重分布层55形成导电连接，并进一步通过穿过覆盖部件24的引入结构连接至位于微机电芯片部件46表面上的导电层的区域，或者位于介电层上的导电层的区域。在本发明的方案中，微机电元件方案的覆盖部件24的导电引入部和微机电芯片部件46之间的接头可通过表面上的金属层、焊接突起或其它一些连接装置，或者其它一些方法直接形成。
[0111]另外，在本发明的方案中，电子电路部件64优选通过倒装结合法结合至保护微机电芯片部件46的覆盖部件24的表面上。在微机电元件方案的覆盖部件24的表面上制造的结合突起61-63形成微机电芯片部件46和电子电路部件64之间的导电连接。
[0112]图16示出了实施本发明微机电元件方案的投影图，其中电子电路部件附着于微机电芯片部件的顶上。在本发明的方案中，电子电路部件64通过倒装结合法结合至保护微机电芯片部件的覆盖部件24的表面上。在本发明的方案中，电子电路部件64必须小于微机电芯片部件，从而在保护微机电芯片部件的覆盖部件24的表面上留有用于微机电元件方案的外部连接的必要接触区。
[0113]图17示出了本发明微机电元件方案的电子电路部件的底层填料方案的截面图。在本发明的方案中，覆盖部件24保护微机电元件的微机电芯片部件46，在覆盖部件24的重分布层55上、保护层60中的开口中，排列或者可选择地制造结合突起61-63。微机电元件的电子电路部件64通过倒装结合法结合至保护微机电芯片部件46的覆盖部件24的表面上。
[0114]在本发明的方案中，通过倒装结合法结合的电子电路部件64和微机电芯片部件46的覆盖部件24之间的窄隙用底层填料65填充。在电子器件中，用底层填料65填充是常用的技术，这已经证明是很好的提高电路方案可靠性的方法。在本发明的方案中，底层填料65很好的用于保护不受诸如潮湿等各种来自外界的有害物质的损害。由于电子电路部件64和微机电芯片部件46的电敏感区相互面对，并且它们之间的空间用底层填料65密封，从而微机电元件可以在没有塑铸封壳的情况下使用，这也是所期望的。
[0115]图18示出了本发明微机电元件方案的外部连接的示例性实施方案的截面图。在本发明的方案中，覆盖部件24保护微机电元件的微机电芯片部件46。微机电元件的电子电路部件64通过倒装结合法结合至保护微机电芯片部件46的覆盖部件24的表面上。微机电兀件的电子电路部件64和微机电芯片部件46的覆盖部件24之间的窄隙用底层填料65填充。
[0116]在本发明的示例性外部连接方案中，包含微机电芯片部件46和电子电路部件64的微机电元件的外部连接通过导线连接66和67实现。图18还示出了在由微机电元件形成的单元上方铸造的塑铸封壳68。
[0117]包含微机电芯片部件46和电子电路部件64的微机电元件可以通过任何已知的连接方案与外界连接。这些连接方案除导线连接66和67以外还包括突起连接件、导电粘接接头或者直接焊接方案。
[0118]图19示出了本发明微机电元件方案的突起连接件方案的截面图。在本发明的方案中，覆盖部件24保护微机电元件的微机电芯片部件46。首先，在覆盖部件24的表面上制造介电层54，然后制造导电重分布层55，再进一步制造由介电材料制成的保护层60。微机电元件的电子电路部件64通过倒装法结合至保护微机电芯片部件的覆盖部件24的表面上。
[0119]覆盖部件24保护本发明微机电兀件方案的微机电芯片部件46，在覆盖部件24的重分布层55上、保护层60的开口中制造用于微机电元件的外部连接的结合突起69和70。在本发明微机电元件的突起连接件方案中，包含微机电芯片部件46和电子电路部件64的微机电元件的外部连接通过突起连接件69和70实现。突起连接件69和70的高度至少等于电子电路部件64和倒装结合突起61-63的总高度。突起连接件69和70可以在倒装结合之前布置或安装，或者可以与倒装结合的制造交叉进行。
[0120]在本发明的方案中，当在微机电元件上制造突起连接件69和70时，可以在没有任何单独封装的情况下获得适用于焊接加工的微机电元件。
[0121]图20示出了将本发明微机电元件方案通过突起连接件方案附着于电路板上的截面图。在本发明的方案中，覆盖部件24保护微机电元件的微机电芯片部件46。微机电元件的电子电路部件64例如通过倒装法结合至保护微机电芯片部件46的覆盖部件24的表面上。
[0122]在本发明微机电元件方案的覆盖部件24的表面上制造用于连接微机电元件和电路板的突起连接件69和70。突起连接件69和70的高度至少等于电子电路部件64和倒装结合突起61-63的总高度。在本发明的方案中，微机电元件方案例如通过倒装法与电路板71的表面连接，从而结合突起69和70以适当的方式与电路板71的连接区72和73对齐。
[0123]图21示出了实施本发明的可选择的微机电元件方案的截面图，其中微机电芯片部件附着于电子电路部件的顶上。在本发明的方案中，微机电芯片部件46由覆盖部件24密封，覆盖部件24具有引入结构以用于穿过覆盖部件24提供电连接。在覆盖部件24的表面上制造介电层54，然后制造导电重分布层55，再进一步制造由介电材料制成的保护层60。
[0124]在本发明微机电元件方案的电子电路部件74表面的适当位置上制造结合突起75-79，或者可选择地，在保护层60的开口中的重分布层55上的保护微机电芯片部件46的覆盖部件24的表面上制造结合突起75-79。在本发明的方案中，微机电芯片部件46通过倒装法结合至电子电路部件74的表面上，覆盖部件24面对电子电路部件74的表面。微机电元件方案的结合突起75-79形成微机电芯片部件46和电子电路部件74之间的导电连接。电子电路部件74和微机电芯片部件46的覆盖部件24之间的窄隙用底层填料80填充。
[0125]图22示出了实施本发明可选择的微机电元件方案的投影图，其中微机电芯片部件附着于电子电路部件的顶部上。在本发明的方案中，微机电芯片部件46通过倒装法结合至电子电路部件74的表面上。在本发明的方案中，微机电芯片部件46必须小于电子电路部件74，从而在电子电路部件74的表面上留出必要的接触区，用于微机电元件方案的外部连接。
[0126]图23示出了本发明可选择的微机电元件方案的示例性外部连接实施方案的截面图。在本发明的方案中，微机电元件的微机电芯片部件46通过倒装法结合至电子电路部件74的表面上。电子电路部件74和微机电芯片部件46的覆盖部件之间的窄隙用底层填料80填充。
[0127]在本发明的示例性外部连接实施方案中，包含微机电芯片部件46和电子电路部件74的微机电元件的外部连接通过导线连接81和82实现。在图23中，还将塑铸封壳83铸在由微机电元件形成的单元上。
[0128]包含微机电芯片部件46和电子电路部件74的微机电元件可以通过任何已知的连接方案与外界连接。这些连接方案除了包括导线连接81和82以外还包括突起连接件、导电粘接接头或者直接焊接方案。
[0129]图24示出了本发明可选择的微机电元件方案的突起连接件方案的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件46通过倒装法结合至电子电路部件74的表面上。在本发明微机电元件方案的电子电路部件74的表面的适当位置上制造用于微机电元件的外部连接的突起连接件84和85。
[0130]在本发明微机电元件方案的可选择的突起连接件方案中，包含微机电芯片部件46和电子电路部件74的微机电元件的外部连接通过突起连接件84和85实现。突起连接件84和85的高度至少等于微机电芯片部件46和倒装结合突起75-79的总高度。突起连接件84和85还可以在倒装结合之前布置或安装，或者与倒装结合的制造过程交叉进行。
[0131]在本发明的方案中，当在微机电元件上制造突起连接件84和85时，在没有任何单独封装的情况下获得适合于焊接加工的微机电元件。
[0132]图25示出了本发明可选择的微机电元件方案的粘接接头方案的截面图。在本发明的方案中，微机电元件的微机电芯片部件46通过倒装法结合至电子电路部件74的表面上。在本发明微机电元件方案的电子电路部件74的表面上，在适当的位置上制造用于微机电元件的外部连接的粘接接头86和87。
[0133]在本发明微机电元件方案的可选择的粘接接头方案中，包含微机电芯片部件46和电子电路部件74的微机电元件的外部连接通过粘接接头86和87实现。微机电元件的粘接接头86和87形成与微机电元件的封壳结构88的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层89和90。微机电元件的封壳结构88相称地设计成与包含微机电芯片部件46和电子电路部件74的微机电元件相配。
[0134]通过本发明的方法制造的微机电元件还具有信号处理功能。通过本发明，提供了一种微机电元件方案，其中电气功能与微机电元件以优选的方式集成，并且还尤其适用于小型微机电运动传感器方案、压力传感器方案、其它传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。
[0135]本发明具体适用于诸如例如用于测量例如加速度、角加速度、角速度、压力或其它物理量的微机电测量仪的各种微机电元件；产生和稳定振荡频率的振荡器和频率合成器；期望添加通过电路实现的功能的诸如无线电装置的高频或中频部件的元件；诸如谐振器、滤波器、开关或阻抗匹配元件等微机电部件；以及期望使位于密封空间的微机电部件和通过微电路实现的部件结合的其它微机电装置。通过本发明，提供了一种改进的制造微机电元件的方法，所述微机电元件尤其适用于小型微机电传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。
[0136]在通过本发明的方法制造的微机电元件中，微机电芯片部件和电子电路部件相互的机械和电结合可以通过使用指定类型的覆盖晶片以优选的方式实现，从而，在制造中，微机电晶片或者电路部件晶片作为用于安装其它芯片(电路部件或微机电芯片)的基底使用，并且部件之间的连接受到保护而不受外界影响。
[0137]在本发明的方法中，电子电路部件例如可以一个接一个地安装在设置有盖子的微机电晶片的表面上。从而可以确保，只有通过检测的电子电路部件才可以仅安装在包含通过检测的微机电芯片的位置上。在本发明的方法中，微机电晶片只在安装阶段和最终检测以后才被切片。
【主权项】
1.一种制造微机电元件的方法，所述微机电元件包括微机电芯片部件(46)和电子电路部件(74)，所述方法包括: 由覆盖部件密封微机电芯片部件(46)，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构； 借助于第一结合构件将所述微机电芯片部件(46)结合至所述电子电路部件(74)的第一表面，用以将所述微机电芯片部件(46)和所述电子电路部件(74)彼此结合，其中所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74)，并且所述电子电路部件(74)的所述第一表面大于所述微机电芯片部件(46)， 靠近所述微机电芯片部件(46)，在所述电子电路部件(74)的所述第一表面上制造用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件(84，85)， 所述第二结合构件(84，85)为凸起连接件，其中所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件(46)和所述第一结合构件的总高度。2.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述微机电芯片部件(46)通过倒装芯片法结合至所述电子电路部件(74)的所述第一表面上，所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74)的所述第一表面。3.根据权利要求1或2所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述电子电路部件(74)和所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件之间的窄隙用底层填料(80)填充。4.一种微机电元件，包括: 由覆盖部件(24)密封的微机电芯片部件(46)，所述覆盖部件(24)包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，以及 电子电路部件(74)，其中 借助于第一结合构件，所述微机电芯片部件(46)结合至所述电子电路部件(74)的第一表面，所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74); 所述电子电路部件(74)的所述第一表面大于所述微机电芯片部件(46)，并且靠近所述微机电芯片部件(46)，所述电子电路部件(74)的所述第一表面包括用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件(84-85)，并且 所述第二结合构件(84-85)是突起连接件，其中所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件(46)和所述第一结合构件的总高度。5.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于，在所述覆盖部件(24)的表面上制造重分布层(55)。6.根据权利要求5所述的微机电元件，其特征在于，通过所述重分布层(55)，在所述覆盖部件(24)的导电区(25-27)、(29-31)、(34-36)、(42-44)与所述第一结合构件(61-63)之间建立导电连接。7.根据权利要求5或6所述的微机电元件，其特征在于，通过所述重分布层(55)，在所述第一结合构件(61-63)与所述第二结合构件(69-70)、(84-85)之间建立导电连接。8.根据权利要求5或6所述的微机电元件，其特征在于位于所述覆盖部件(24)的所述表面和所述重分布层(55)之间的介电层(54)、(56)、(58)。9.根据权利要求5或6所述的微机电元件，其特征在于位于所述重分布层(55)的顶上的保护层(60)。10.根据权利要求9中所述的微机电元件，其特征在于，在所述覆盖部件(24)的所述重分布层(55)的顶上，并在所述保护层(60)的开口中制造所述第一结合构件(61-63)。11.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于，所述电子电路部件(64)与所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件(24)之间的窄隙用底层填料(65)填充。12.根据权利要求11所述的微机电元件，其特征在于在所述微机电元件上方铸造的塑铸封壳(68)。13.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于， 所述微机电芯片部件(46)通过倒装芯片法结合至所述电子电路部件(74)的所述第一表面上，所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74)的所述第一表面。14.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于，所述微机电元件的电子电路部件(64)、(74)具有电信号处理的能力。15.一种微机电加速度传感器，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。16.一种微机电角加速度传感器，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。17.一种微机电角速度传感器，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。18.—种微机电压力传感器，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。19.一种微机电振荡频率稳定器，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。20.一种微机电电信号滤波器，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。21.—种微机电电信号切换元件，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。22.—种微机电电阻抗匹配装置，其特征在于包括根据权利要求4所述的微机电元件。
【专利摘要】本发明涉及一种制造微机电元件的方法以及该微机电元件。制造微机电元件的方法包括：由覆盖部件密封微机电芯片部件，覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构；借助于第一结合构件将微机电芯片部件结合至电子电路部件的第一表面，用以将微机电芯片部件和电子电路部件彼此结合，其中所述微机电芯片部件的所述覆盖部件面对所述电子电路部件，并且所述电子电路部件的所述第一表面大于所述微机电芯片部件，靠近所述微机电芯片部件，在所述电子电路部件的所述第一表面上制造用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件，所述第二结合构件为凸起连接件，其中所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件和所述第一结合构件的总高度。
【IPC分类】G01C19/5783, B81B7/02, B81B, B81C1/00, B81C99/00
【公开号】CN104909332
【申请号】CN10108718
【发明人】海基·库斯玛
【申请人】村田电子有限公司
【公开日】9月16日
【申请日】11月21日
【公告号】CN101312903A, CN101312903B, CN101312904A, CN101312904B, EP1951609A1, EP1951609A4, US7982291, US8124435, US8450816, US0114623, US0137079, US312
