#用过魅族手机后你有哪些使用感受# 用过魅族的魅蓝metal、简短用了半年，但是感受颇深：
1、最给人印象深刻的就是Flyme、这个系统不妖艳、很清新、很易用、给人便捷、干净、愉快的使用感受
2、mback、这个实在是太太太太太棒了！这个交互完胜所有home键、以至于换了iOS刚开始还是忍不住轻点home键………
3、系统更新、这个好像有周更、反正是持续改进、比较好
4、魅族手机不说质量最好、但是用下来、感觉还是挺耐用的！而且设计上也比较好看～黑边挺小的～?总结、如果选国产机、第一选择依然是魅族～
说了这么多优点、忘了说缺点了…………其实也有不少。有十分困扰的、也有其实并不太影响的。
1、魅族几乎用的mtk联发科的芯片、这个有点不用说了（滑稽），缺点就是、稍微大一点的游戏可能就撑不住（电量掉的快、性能跟不上）
2、断流、说真的用Metal以前我都不知道有断流这回事、但自从用了这带联发科的芯片的手机之后我就领略到了………王者农药时不时来个断流、卡那么几秒再接着、wifi断、流量也断…………这国是摔在魅族身上呢、还是联发科身上呢？反正特别的坑、这也是促成我换手机之原因。
3、其他缺点、凭良心说、真的找不出太多了、其他缺点根本是无关紧要的……
IMEC利用其硅光TSV平台实现112Gbps的NRZ信号传输
IMEC在今年的ECOC上报道了其在硅光TSV方面的最新进展，验证了112Gbps NRZ信号在该TSV传输的性能。TSV的全称是Through Silicon Via, 一般翻译为硅通孔。其通过一定的工艺在硅片中间形成通孔，在孔里面填充金属Cu，利用TSV传递高速信号，实现多颗芯片间的信号垂直互联。对于CPO(参看共封装光学(co-packaged optics)简介)来说，TSV是不可或缺的封装技术，如下图所示，EIC通过flip chip的方式与PIC互联，PIC充当interposer的角色。TSV穿过PIC芯片，将高速信号从基板垂直传递到EIC上。
IMEC的硅光TSV工艺基于其300mm的硅光平台，硅的厚度是220nm, Box层的厚度为2um。TSV的直径为11um, 深度为100um, 其截面如下图所示。
IMEC在metal heater加工完之后，开始TSV的加工，主要流程如下图所示，
首先沉积一层SiN，通过光刻实现TSV的图案转移。接着通过Bosch深刻蚀的方法，刻蚀与钝化交替进行，形成高深宽比的孔洞。接着沉积800nm的O3/TEOS作为氧化层，作为Cu与Si衬底之间的电气绝缘隔离。进而沉积130nm的Ta作为阻挡层，其主要作用是防止在加工过程中，铜原子热扩散到氧化层中。沉积1.5um厚的Cu作为种子层。然后采用电镀的方法(ECD Cu plating)，在通孔里填满金属Cu。这一步比较关键，需要避免空气孔的形成，控制好铜的沉积速率, IMEC发现TSV的density和pitch对空气孔的影响比较大。最后通过CMP的方式，将Cu抛平整。实际应用中，背面的硅衬底需要进行减薄，将铜露出来。
IMEC通过背面的RDL形成CPW传输线, 将两个TSV相连，形成一个链路，进而测试其高速信号的传输性能，如下图所示。
其3d 结构如下图所示(HFSS仿真)，信号从M1向下传递到TSV, 再传递到背面的RDL层，进而再向上传递到另一侧的TSV和M1层。
其HFSS仿真结果与实验结果匹配得非常好，当RDL长度为200um时，其在110GHz时的插损为1.8dB，回波损耗大于11dB。眼图的测试结果如下图所示，
随着RDL长度的增加，眼图的jitter时间增加，SNR和眼幅度降低。IMEC在实验中对此作了验证，结果如下图所示。
IMEC首次展示了TSV对100GHz以上高速信号的传递性能。在文献2中，IMEC还验证了TSV对一些硅光器件的影响，结论是TSV的有无对调制器、探测器和波导等的性能影响不大。TSV通过垂直互联的方式，降低了电互联的长度，降低了功耗，提高了信号互联的密度，是高速光电3D集成系统的关键技术。目前看来，大部分硅光平台都在这一方向努力，包括IMEC, GlobalFoundries, CEA-Leti等。由于TSV的加工过程涉及到一些高温过程，需要考虑对Ge外延工艺的兼容性，这方面需要工艺的摸索与积累，水滴石穿。
参考文献：
K. Miyaguchi, et.al., "110GHz Through-Silicon Via’s Integrated in Silicon Photonics Interposers for Next-Generation Optical Modules", ECOC
L. Bogaerts, et.al., "High-Speed TSV Integration in an Active Silicon Photonics Interposer Platform", Proc. IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)
贵重物品还是买市场常见的品牌好，当初年轻气盛，总想标新立异，加上网上很多说ov高价低配，小米如何如何性价比，魅族flyme如何如何流畅好用等等，买手机就不想买华为，oppo和vivo这些大品牌，总是买小米，魅族，三星，联想，这些小众品牌，买了oppo之后用到现在，才发现我之前买的都是垃圾。没有一部用的超过一年的，小米3喇叭破音，充电口接触不良，屏幕易碎，红米note4x屏幕看的眼睛疼，拍照跟鬼一样惨白。魅蓝metal耗电快，快的你都不敢相信。三星a9100屏幕辣眼睛，晚上最低亮度都不敢看屏幕。魅族pro6p bug多，耗电快，系统卡顿，过度动画都一顿一顿的，联想z5，屏幕冬天看着想吐，自动亮度不灵，待机耗电快，睡一觉起床手机没电自动关机。魅族15p系统卡顿，软件闪退，拍照昏暗，最离谱的是基带丢失了，搞得手机没信号。 总结，小众品牌之所以小众，就是因为它有这样那样的问题，它们可能有一个很突出的优点，但缺点更多。 希望各位年轻人以我为戒，不要搞什么标新立异，也不要随便听网上的人瞎忽悠，跟着大多数人买就行了，不要跟我一样花了这么多钱买罪受。小米，魅族，三星，联想，都是垃圾，替这些品牌宣传，吹捧这些品牌的都是垃圾中的垃圾
本地文本是A11的AI算力只够算面容ID。每秒2000亿次的运算够干什么的？然后iOS15口罩识别也是AI性能不够，A13和A14的AI差距巨大，一个8核一个16核，所以口罩解锁只支持A14和A15以上设备这也就是为啥12以下不支持的原因。再然后就是iOS16的横屏解锁，这是硬件限制，你自己找个拆机图就知道了，13和14系列面容组建是一样的，它们的泛光照明元件和点阵投影仪合并了，距离变短，所以精度更高，可以实现横屏。12以前的原深感镜头是第一代，还是红外摄像头、点阵投影仪、泛光照明原件分开的，和X完全没区别。再再然后就是现在iOS16.2RC上新增的唱歌模式，它只支持A13及以上设备，这功能也是AI性能卡死的，A12的神经网络引擎算力不够，所以不支持。•如果往系统底层来说那iOS16的Metal3API也只支持A13及以上设备，这个更狠，iPad端连A12Z都淘汰了，它都不支持Metal3新的GPUAPI接口，还有就是M1系列独占的前台调度，这些功能都是硬件限制，前台调度极其吃CPU多核性能，只有M1能满足它。Metal3也是一样的，这功能必须要求GPU硬件支持，A12整个系列的GPU都是用的以前pro VR留下来的PW1015规格集群规格做出来的，只有A13开始的GPU才是苹果自己的AP集群。•所以你还有什么问题吗？[黑线]//@悠闲超Sir：你也知道大多数啊 最起码本地文字识别没给//@创科数字：？？苹果阉割了什么，ios16的大部分功能都给了//@悠闲超Sir：不行嘛？难道苹果不是这样阉割旧手机的功能？
创科数字优质数码领域创作者
难怪很多米粉都说这次MIUI 14对于骁龙8以下和天玑处理器得用户就更新了一个一个大文件夹和桌面上的一条狗。给大家盘点一下，MIUI 14被阉割掉的功能：1、AI字幕改成了实时字幕，仅8gen1以上设备支持，也就是说以后老机型都没有字幕这个东西2、动画和模糊全被砍一刀，跟MIUI13对比一下就能感觉出来3、状态栏删除通知也被砍了一刀，虽然比以前删的快了，但是没有动感了4、量子引擎，这个都知道了，8+，8gen1，8gen2搭载才可以用5、删除内置应用，10月份以后的才支持#数码爱好者# #数码迷#
