光致发光性质,photoluminescence property
1)photoluminescence property光致发光性质
英文短句/例句
1.Preparation and Photoluminescent Properties of Calcium Sulfate Phosphor Doped with Europium ion;CaSO_4:Eu荧光体的制备及其光致发光性质
2.Optical Absorbtion and Photoluminescence Properties of Silicon Nutride Films;氮化硅薄膜的光吸收及光致发光性质研究
3.Study on Preparation and Photoluminescence Properties of TiO_2 Nanocrystals Sol;TiO_2纳米晶溶胶的制备及其光致发光性质的研究
4.The Microstructure and Photoluminescence of Silicon Oxynitride and Silicon Nitride Thin Film;SiO_xN_y和SiN_x薄膜的结构和光致发光性质研究
5.Structure and Photoluminescence Properties of Fe-ZnO Films Deposited on Si and Al_2O_3;Si，Al_2O_3衬底上Fe掺杂ZnO薄膜结构及光致发光性质
6.Hydrothermal fabrication of spindle-like ZnO microcrystals and their photoluminescence properties水热合成纺锤状ZnO及其光致发光性质研究
7.Synthesis and Photoluminescent Properties of t-LaVO_4∶Eu~(3+) by Precipitation Method沉淀法合成t-LaVO_4∶Eu~(3+)及其光致发光性质研究
8.Synthesis and Photoluminescence Properties of La_2O_3:Tb~(3+) Nanocrystals by Combustion MethodLa_2O_3:Tb~(3+)纳米晶的燃烧法制备及其光致发光性质
9.Studies on the Synthesis,Structure and Photo-Luminescence Properties of Novel Organic Luminescence Rare Earth Complexes;新型光功能有机稀土配合物的合成、结构和光致发光性质
10.Study on PL Properties of β-Diketone with ICT Function and Their Metallic Complexes;具有ICT性质的β-二酮及其金属有机配合物的光致发光性质研究
11.Photoluminescence Properties of Mesoporous SBA-15 Materials and Rare Earth Complexes Dispersed in Mesoporous Materials;介孔SBA-15及其孔内组装联吡啶铕配合物的光致发光性质研究
12.Fluorescence Spectra of Rubrene Dopant for Organic Light-Emitting Devices有机电致发光器件中Rubrene掺杂剂的荧光光谱性质
13.Syntheses, Luminescent/Electroluminescent Properties and Quantum Chemistry Theoritical Studies of Bis (salicyladimine) Complexes;双西佛碱金属配合物的合成、光致发光/电致发光性质及理论研究
14.Photoelectric Properties of Organic/Polymer Heterojunction OLEDs有机/聚合物异质结电致发光器件的光电性能
15.Photoluminescence and magnetic properties of cobalt doped SnO_2 nano-powder钴掺杂二氧化锡纳米粉的光致发光和磁学性质
16.Synthesis, Photoluminescent and Electroluminescence Properties Studies of Phenol-pyrimidine and Pyridyl-imidazole Complexes;酚基嘧啶及吡啶咪唑类配合物的合成及光致、电致发光性质研究
17.Studies on the Synthesis and Photo, Electro-luminescence Property of the Novel Rare Earth Complexes;新型稀土配合物的合成及光致、电致发光性质的研究
18.Designs and Syntheses of Novel Polyfluorene Derivatives & Studies on Their EL Properties;新型烷基芴类共聚物电致发光材料的设计合成及发光性质研究
相关短句/例句
photoluminescence[,f?ut?u,lju:mi"nesns]光致发光性
1.The results showed that the obtained ZnO nanosheet had goodphotoluminescence properties.结果表明:采用该法可获得纤锌矿结构ZnO纳米片,其大小100~400 nm,厚度5~10 nm,具有良好的光致发光性能。
3)photoluminescence performance光致发光性能
4)photoluminescence[,f?ut?u,lju:mi"nesns]光致发光特性
5)luminescent properties发光性质
1.Synthesis and Luminescent Properties Analysis of CaO-SiO_2-B_2O_3:Pr~(3+) GlassesCaO-B_2O_3-SiO_2:Pr~(3+)玻璃的合成及发光性质
2.The optimal temperature of synthesis,the structure of network and theluminescent properties of the glasses are studied.用常规的高温合成法合成了CaO-SiO2-B2O3∶Eu2O3玻璃,探讨了玻璃的最佳合成温度、玻璃的网络结构并研究了其发光性质。
3.The optimal temperature of synthesis, the absorption spectrum and theluminescent properties of the glasses were studied.用常规的高温合成法合成了CaO-SiO2-B2O3∶Sm2O3玻璃,探讨了玻璃的最佳合成温度、玻璃的吸收光谱,并研究了其发光性质。
6)luminescence properties发光性质
1.Synthesis andluminescence properties of binary and ternary Tb-La co-doped complexes with O-phthalic acid and 1,10-phenanthroline;Tb-La混配■邻苯二甲酸■1,10-菲咯啉二元、三元配合物的合成与发光性质
2.Synthesis andluminescence properties of YPO_4:Eu~(3+) nanophosphor纳米YPO_4:Eu~(3+)的合成及发光性质研究
3.Theluminescence properties and energy transfer of Y2O2S∶Tb nanocrystals were studied.研究了Y2O2S∶Tb纳米晶的发光性质和能量传递过程,根据浓度猝灭曲线分析了纳米Y2O2S中引起5D3和5D4能级浓度猝灭的相互作用类型分别为电偶极-电偶极和交换相互作用。
延伸阅读
光致发光测量光致发光测量photoluminescence measurement万激活能。因此，发光过程往往是被激发到导带的电子先被这种局部能级所俘获，然后再发生电子与空穴的复 二合发光。这时的发光波长几一hc/E:一△E。不同的杂质二具有不同的激活能△El，它表征杂质的特性。 三半导体材料中不同的杂质所处的能态不同，引起 厂发光的复合形式也各不相同，主要有如图1所示的6 乙种形式。(光致发光测试系统如图2所示。由4部分组成:①光激发部分。包括激光器或其他光源、光斩波器、滤光 i片和透镜。②样品室。包括低温恒温器和温度控制器。 又③光检测部分。包括光栅单色仪、光探测器和锁相放大器。④记录和数据处理部分。包括X一y记录仪和数据处理系统。guongz。}faguang Cel.ong{一一-下一一下不不一下三厂一-二二二下光致发光测量(photolumineseenee};!厄圆}}光栅目塑塑目镇相日琴三萝川数据1}zneasurement)用一定能量的光子激发}j}迹‘朴介祠，.厂}~}性介}{L.卫日}二二}}半导体材料，由其产生的特征发光谱线来分析}井令。J及书飞丫少藻滤匕一-口L一二习}L一习}半导体材料性能的一种光学半导休材料测量}全乡/滤舀】控温}}协开{}方法。具体而言，对于一种半导体材料，当用能}公圳~}}l量大于其禁带宽度的光照射到样品表面时，由}}{.}于受到光的激发，使半导体材料价带上的电子l竺丝兰一望塑终匕一卫丝翌一-一-士塑圣塑型哩被激发到导带中而形成电子一空穴对，这种光生的非平衡载流子在10一125的弛豫时间内很图2光致发光测试系统快地与原子晶格振动相互作用，并把能量的一、二。、、.1县。。和、、二、、，t、，。，。。八。、’尤咫习抓“日日‘陌珊叨“口几’卜用’兀〕‘“匕里““光致发光测量对鉴别半导体材料中引起复合发光部分交给晶体，然后到达最小的能量位置(导带边)。由的杂质和缺陷灵敏度高，已成为半导体领域中重要的于这种非平衡载流子的寿命极短，约1。一6一10一95，很测量方法。它用于:(1)识别杂质。对于轻掺杂的半导体快就发生电子与空穴的复合而发光。发光的波长又由材料，以这种杂质在禁带中形成受主能级为例，被激发半导体材料的禁带宽度所决定，即又一h‘/E:。式中h为到导带中的电子将与束缚于受主的空穴复合而放出一普朗克常数;。为光速;E:为禁带宽度。
