金属-半导体-金属,MSM
1)MSM金属-半导体-金属
1.A new type metal-semiconductor-metal(MSM) detector with recessed interdigital electrodes is proposed.提出了一种新型具有掩埋电极的金属-半导体-金属(MSM)探测器原型器件结构,并用数值计算的方法研究了其激活层内电场的分布特性,讨论了掩埋电极深度对电场分布的影响,并与传统平面叉指电极结构进行比较,得出该结构对器件性能改善具有重要的作用。
2)metal-semiconductor金属-半导体
英文短句/例句
1.metal-semiconductor capacitor金属-半导体电容器
2.Average-Bond-Energy and Fermi Level on Metal-Semiconductor Contacts金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能
3.metal semiconductor meta金属 半导体 金属结构
4.metal insulater-semiconductor金属—绝缘体—半导体
5.buried channel mos埋沟金属氧化物半导体
6.vertical metal oxide semiconductor垂直金属氧化物半导体
7.floating gate mos浮栅金属氧化物半导体
8.metal-oxide-semiconductor device金属－氧化物－半导体器件
9.metal oxide semiconductor金属 氧化物 半导体
10.alumina semiconductor memory金属铝半导体存储器
11.MAOS (Metal-Alumina-Oxide-Silicon- Semiconductor)金属氧化铝硅半导体
12.metal nitride semiconductor金属 氮化物 半导体
bined metal oxide semiconductor复合金属氧化物半导体
14.intermetallic compound semiconductor金属间化合物半导体
15.CMOS - Complementary Metal Oxide Semiconductor补充金属氧化物半导体
plementary metal oxide semiconductors (CMOS)互补金属氧化物半导体
17.metal semiconductor barrier金属 半导体接触势垒
18.metal oxide semiconductor transistor金属—氧化物—半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管
相关短句/例句
metal-semiconductor金属-半导体
3)metal/semiconductor金属/半导体
1.One-dimensionalmetal/semiconductor heterojunction nanomaterials have been tremendously concerned because of their novel structures,unique electrical and optical properties,and central roles in fabricating electronic nanodevices.一维金属/半导体异质结纳米材料因其新颖的结构、独特的光电特性和在纳电子领域应用的巨大优势和潜力而受到广泛的关注和重视。
4)metal/insulator/semiconductor/metal (MISM)金属/绝缘体/半导体/金属
5)MISM金属绝缘体半导体金属
6)Metal-insulator-semiconductor-metal金属-绝缘体-半导体-金属
延伸阅读
N沟道金属-氧化物-半导体集成电路以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。参考书目Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated CircuitEngineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
